Advanced High Voltage Isolated Gate Driver for IGBT and SiC MOSFETs

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ブロック図

Advanced High Voltage Isolated Gate Driver for IGBT and SiC MOSFETs

GD3100, Advanced IGBT/SiC Gate Driver - Block Diagram

Features

Key Features

  • HV isolated IGBT and SiC single gate driver IC device functions
  • Load current 15 A (IL)
  • Single channel
  • Drain-to-source on resistance 500 mOhm RDS(ON)
  • Load supply voltage min. -12 V, max. 25 V
  • Supply voltage min. 5.6 V, max. 40 V
  • Amient operating temperature -40 to 125 °C
  • PWM and SPI interface and input controllers

High Level of Integration and Flexibility for Any IGBT/SiC Module

  • Galvanic signal isolation
  • 10 A on/off power stage
  • Active Miller Clamp
  • 3.3 or 5.0 V I/O
  • Compatible with 200 to 1700 V IGBTs/SiC
  • SPI for programmability and diagnostics
  • Reduces BOM costs and PCB size

Fast Overcurrent or Short Circuit Protection

  • Both I-sense or DESAT sense available
  • Two-level turn-off
  • Soft shutdown

Compliant with ISO26262 ASIL C/D Functional Safety Requirements (Certification Pending)

  • VGE monitoring to verify communication between PWM input and Gate output
  • Fail-safe pins allowing redundant gate control
  • Secure SPI settings with Cycle Redundancy Check (CRC)
  • Enforced deadtime protection
  • Built-In Self-Test (BIST) for analog and digital circuits

SafeAssure Functional Safety Program

SafeAssure Functional Safety Program

When it comes to functional safety, NXP stands for quality and reliability. Our SafeAssure program simplifies system-level safety requirements in accordance with ISO 26262.
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