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NXPは、60年以上にわたり無線周波数の技術革新とテクノロジをリードし、GaN on SiC、LDMOS、およびSiGeテクノロジを使用して、ミリワットからキロワットまでのセルラー・インフラおよび民生用および産業用アプリケーション向けのRFソリューションの幅広いポートフォリオを提供しています。
GaN、LDMOS、SiGeディスクリート・トランジスタ、IC、マルチチップ・モジュールのフル・ラインアップを揃え、多様なネットワークおよびアーキテクチャに対応するエンド・ツー・エンド・ソリューションです。これらのソリューションは、Sub-6 GHzとmmWaveのすべての周波数帯域を含み、すべてのセルラー規格に対応しています。
20~80 Wの無線用に設計された高出力Airfastディスクリート・ソリューション。
5~10 Wの無線およびマクロ・ドライバ用のマルチチップ・モジュール、IC、LNA、およびディスクリートmMIMOソリューション。
主要な5G mmWave帯域における高性能アナログ・ビームフォーミングIC。
NXPの第2世代RapidRFフロントエンド・ボードは、全体的な複雑さを軽減し、TDDセルラー・アプリケーション向けのすぐに使える完全な回路を提供するように設計されています。
2.4 GHz、5 GHz、7 GHz Wi-Fi®およびBluetooth®対応フロントエンドIC。WLANフロントエンドICの詳細を見る。
厳しい条件下でのアプリケーションに適した高出力GaNおよびLDMOSテクノロジ。
高出力アプリケーションにおけるソリッドステートRFの使用を容易にするために設計されたパワー・トランジスタ。
2-way携帯電話および車載無線に対応し、ブロードバンド性能を提供。
BTS7202 Rxフロントエンド・モジュールおよびBTS6305U/BTS6403Uプリドライバは、より高い出力電力、改善されたリニアリティおよび低減された雑音指数により、5G信号の品質向上をサポートします。
開発ボード
400以上のRFパワー・アンプ設計を含む広範なライブラリにアクセスできます。
ドキュメント
NXPのインタラクティブな製品ガイドで、マクロ、mMIMO、民生向けおよび産業向けのポートフォリオをご覧ください。