SD 3.0-SDR104準拠、メモリ・カード電圧レベル変換器、自動方向制御、EMIフィルタおよびESD保護搭載

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特長

主な特長

  • 最大208 MHzのクロック周波数をサポート
  • SDR104、SDR50、DDR50、SDR25、SDR12、高速モードおよびデフォルト速度モードをサポートする、SD 3.0仕様準拠の電圧変換
  • 1.2 V~1.8 Vのホスト側インターフェースの電圧をサポート
  • クロック同期用のフィードバック・チャネル
  • カード側のI/Oに100 mAを供給する低ドロップアウト電圧レギュレータ
  • ブレーク・ビフォア・メイク (BBM) アーキテクチャでのプッシュ・プル出力段による低消費電力
  • VSD経由での自動イネーブル/ディセーブル
  • プルアップおよびプルダウン抵抗内蔵:外部抵抗が不要
  • 内蔵EMIフィルタがデジタルI/Oの高調波を抑制
  • IEC 61000-4-2レベル4に準拠した8 kVのESD保護をカード側に内蔵
  • レベル変換バッファによってホストをESDストレスから保護(ゼロ・クランプ概念)
  • 20ボール、0.4 mmピッチのWLCSP

購入/パラメータ










































































































ドキュメント

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6 ドキュメント

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