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無線周波数
レガシーRF
レガシーRFパワー
- A2I20D020N
- A2I20D040N
- A2I20H060N
- A2T07D160W04S
- A2T09D400-23N
- A2T14H450-23N
- A2T21H100-25S
- A2T23H160-24S
- A2T27S020N
- A3I35D025WN
- A3T09S100N
- A3T18H360W23S
- A3T21H360W23S
- AFIC901N
- AFM906N
- AFM907N
- AFM912N
- AFSC5G23D37
- AFSC5G26D37
- AFT05MP075N
- AFT05MS004N
- AFT05MS006N
- AFT05MS031N
- AFT09MP055N
- AFT09MS007N
- AFT09MS015N
- AFT09MS031N
- AFT27S006N
- AFT27S012N
- MD8IC970N
- MHT1803A
- MHT2012N
- MMRF1004N
- MMRF1308H
- MMRF1314H
- MMT20303H
- MRF101AN
- MRF13750H
- MRF1518NT1
- MRF1K50H
- MRF1K50N
- MRF300AN
- MRF6V10010N
- MRF6V12250H
- MRF6V12500H
- MRF6V14300H
- MRF8VP13350N
- MRFE6S9060NR1
- MRFE6VP100H
- MRFE6VP5150N
- MRFE6VP5600H
- MRFE6VP61K25H
- MRFE6VP61K25N
- MRFE6VP6300H
- MRFE6VP6600N
- MRFE6VS25L
- MRFE6VS25N
- MRFE8VP8600H
- MRFX035H
- MRFX1K80H
- MRFX1K80N
- MRFX600H
- MW6S004NT1
- MW6S010N
- MW7IC008N
MD8IC970N

The MD8IC970NR1 and MD8IC970GNR1 wideband integrated circuits are designed with on-chip prematching that make them usable from 136 to 940 MHz. This multi-stage structure is rated for 26 to 32 Volt operation and covers all typical base station modulation formats. These devices have a 2-stage design with off-chip matching for the input, interstage and output networks to cover the desired frequency sub-band.

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データ・シート

アプリケーション・ノート

製品詳細

Features

Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters and Common Source S-Parameters
On-Chip Prematching. On-Chip Stabilization.
Integrated Quiescent Current Temperature Compensation with Enable/Disable Function
Integrated ESD Protection
225°C Capable Plastic Package
RoHS Compliant
In Tape and Reel. R1 Suffix = 500 Units, 44 mm Tape Width, 13-inch Reel.

RF Performance Table

850-940 MHz

Typical Two-Tone Performance: V_DD1 = 28 Volts, V_DD2 = 25 Volts, I_DQ1(A+B) = 60 mA, I_DQ2(A+B) = 550 mA, Pout = 35 Watts Avg.

Frequency	G_ps (dB)	PAE (%)	IMD (dBc)
850 MHz	30.6	40.1	–30.5
900 MHz	31.9	42.4	–31.0
940 MHz	32.6	42.1	–31.3

Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 32 Vdc, 940 MHz, 137 Watts CW Output Power (3 dB Input Overdrive from Rated Pout), Designed for Enhanced Ruggedness
Typical Pout @ 1 dB Compression Point ≃ 79 Watts CW

購入/パラメータ

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ドキュメント

クイック・リファレンスドキュメンテーションの種類

7 ドキュメント

コンパクトリスト

Quiescent Current Control for the RF Integrated Circuit Device Family - AN1987[AN1987]

PDFMay 12, 2004改訂 1
Quiescent Current Control for the RF Integrated Circuit Device Family - AN1977[AN1977]

PDFOct 9, 2003改訂 0

Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices[EB212]

PDFJan 19, 2004改訂 0

MD8IC970NR1, MD8IC970GNR1 850-940 MHz, 35 W Avg., 28 V RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers[MD8IC970N]

PDFMay 5, 2011改訂 2

98ASA10740D, TO, 23.62x9.02x3.18, Pitch 1.02, 17 Pins[SOT1725-1]

PDFMar 18, 2016改訂 E
98ASA10739D, TO-WBL, 23.55x9.05x3.17, Pitch 9.02, 16 Pins[SOT1728-1]

PDFMar 18, 2016改訂 E

Advances in Airfast RFICs White Paper[AIRFASTWBFWP]

PDFMay 15, 2015改訂 0

設計・リソース

デザイン・ファイル

クイック・リファレンス設計・ファイルの種類.

5 設計・ファイル

完全な内訳を受け取ります。 製品の設置面積などについては、 eCad ファイル.

シミュレーションとモデル
RF High Power Model ADS Model Kit goto: Click the Download button to select.

HTML改訂 1Sep 20, 2016 00:00:00785 BRF_HIGH_POWER_MODEL_ADS_KIT
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シミュレーションとモデル
RF High Power Model AWR Model Kit goto: Click the Download button to select.

HTML改訂 1Sep 20, 2016 00:00:00802 BRF_HIGH_POWER_MODEL_AWR_KIT
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シミュレーションとモデル
MD8IC970N, MD8IC970GN RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

ZIP改訂 2Jun 17, 2019 00:00:002.61 MBMD8IC970N_MDL_ADS

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シミュレーションとモデル
MD8IC970N RF High-Power Model AWR Product Model Design Kit

ZIP改訂 0Sep 20, 2016 00:00:006.37 MBMD8IC970N_MDL_AWR

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電卓
MD8IC970NR1, MD8IC970GNR1 RF Power Electromigration MTTF Calculation Program

XLSX改訂 0Feb 15, 2011 00:00:0026.89 KBMD8IC970N_MTTF_CALC

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850-940 MHz, 35 W Avg., 28 V RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers

製品詳細

Features

RF Performance Table

850-940 MHz

購入/パラメータ

ドキュメント

絞り込み

アプリケーション・ノート (2)

Quiescent Current Control for the RF Integrated Circuit Device Family - AN1987[AN1987]

Quiescent Current Control for the RF Integrated Circuit Device Family - AN1977[AN1977]

エンジニアリング・ブリテン (1)

Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices[EB212]

データ・シート (1)

MD8IC970NR1, MD8IC970GNR1 850-940 MHz, 35 W Avg., 28 V RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers[MD8IC970N]

パッケージ情報 (2)

98ASA10740D, TO, 23.62x9.02x3.18, Pitch 1.02, 17 Pins[SOT1725-1]

98ASA10739D, TO-WBL, 23.55x9.05x3.17, Pitch 9.02, 16 Pins[SOT1728-1]

ホワイト・ペーパ (1)

Advances in Airfast RFICs White Paper[AIRFASTWBFWP]

設計・リソース

デザイン・ファイル

絞り込み

RF High Power Model ADS Model Kit goto: Click the Download button to select.

RF High Power Model AWR Model Kit goto: Click the Download button to select.

MD8IC970N, MD8IC970GN RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

MD8IC970N RF High-Power Model AWR Product Model Design Kit

MD8IC970NR1, MD8IC970GNR1 RF Power Electromigration MTTF Calculation Program

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