AFT09MS031N|31 W CW, 764-941 MHz, 13.6 V

製品詳細

Features

Characterized for Operation from 764 to 941 MHz
Unmatched Input and Output Allowing Wide Frequency Range Utilization
Integrated ESD Protection
Integrated Stability Enhancements
Wideband — Full Power Across the Band (764 to 870 MHz)
225°C Capable Plastic Package
Exceptional Thermal Performance
High Linearity for: TETRA, SSB, LTE
Cost-effective Over-molded Plastic Packaging
RoHS Compliant
In Tape and Reel. R1 Suffix = 500 Units, 24 mm Tape Width, 13 inch Reel.

Output Stage 800 MHz Trunking Band Mobile Radio
Output Stage 900 MHz Trunking Band Mobile Radio

RF Performance Tables

764-941 MHz Narrowband

13.6 Vdc, I_DQ = 500 mA, T_A = 25°C, CW

Frequency (MHz)	G_ps (dB)	η_D (%)	P1dB (W)
764	18.0	74.1	32
870	17.2	71.0	31
941	15.7	68.1	31

764-870 MHz Broadband

13.6 Vdc, I_DQ = 100 mA, T_A = 25°C, CW

Frequency (MHz)	G_ps (dB)	η_D (%)	P1dB (W)
760	15.7	62.0	44
820	15.7	63.0	37
870	15.5	61.0	36

Ruggedness, 870 MHz

Frequency (MHz)	Signal Type	VSWR	Pin (W)	Test Voltage	Result
870⁽¹⁾	CW	>65:1 at all Phase Angles	1.2 (3 dB Overdrive)	17	No Device Degradation
870⁽²⁾	CW	>65:1 at all Phase Angles	2.0 (3 dB Overdrive)	17	No Device Degradation

1. Measured in 870 MHz narrowband test circuit.
2. Measured in 760-870 MHz broadband reference circuit.

購入/パラメータ

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ドキュメント

クイック・リファレンスドキュメンテーションの種類.

9 ドキュメント

コンパクトリスト

Thermal Characterization Methodology of RF Power Amplifiers - Application Note[AN1955]

PDFJul 11, 2024改訂 2
AN1907 Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Over-Molded Plastic Packages[AN1907]

PDFMay 13, 2009改訂 3
Clamping of High Power RF Transistors and RFICs in Over-Molded Plastic Packages[AN3789]

PDFMar 12, 2009改訂 0

Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices[EB212]

PDFJan 19, 2004改訂 0

New Generation of Land Mobile Radio Products[LANDMOBILE_TRN_SI]

PDFJun 15, 2012改訂 0

AFT09MS031NR1, AFT09MS031GNR1 764-941 MHz, 31 W, 13.6 V Wideband RF Power LDMOS Transistors - Data Sheet[AFT09MS031N]

PDFAug 31, 2012改訂 1

98ASA99301D, TO, 9.65x6.1x2.11, Pitch 4.98, 3 Pins[SOT1731-1]

PDFMar 30, 2016改訂 D
98ASH98117A, TO, 9.65x6.1x2.03, Pitch 6.06, 3 Pins[SOT1732-1]

PDFFeb 26, 2016改訂 R

Designing with Plastic RF Power Transistors White Paper[RFPLASTICWP]

PDFSep 24, 2015改訂 2

設計・リソース

デザイン・ファイル

クイック・リファレンス設計・ファイルの種類.

1-5の 7 設計・ファイル

完全な内訳を受け取ります。 製品の設置面積などについては、 eCad ファイル.

シミュレーションとモデル
AFT09MS031N RF High-Power Model AWR Product Model Design Kit.

ZIP改訂 1Feb 8, 2013 00:00:00656.9 KBAFT09MS031N_MDL_AWR

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シミュレーションとモデル
RF High Power Model ADS Model Kit goto: Click the Download button to select.

HTML改訂 1Sep 20, 2016 00:00:00785 BRF_HIGH_POWER_MODEL_ADS_KIT
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シミュレーションとモデル
AFT09MS031N RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

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シミュレーションとモデル
AFT09MS031NR1, AFT09MS031GNR1 S-Parameters

S2P改訂 0May 25, 2012 00:00:005.2 KBAFT09MS031N_SP

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プリント基板と回路図
AFT09MS031N 870 MHz Narrowband PCB DXF file

ZIP改訂 2May 25, 2012 00:00:0028.9 KBAFT09MS031N_870NB_PCB

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電卓
AFT09MS031NR1, AFT09MS031GNR1 RF Power Electromigration MTTF Calculation Program

XLSX改訂 0May 25, 2012 00:00:0030.0 KBAFT09MS031N_MTTF_CALC

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764-941 MHz, 31 W, 13.6 V Wideband RF Power LDMOS Transistors

製品詳細

Features

RF Performance Tables

764-941 MHz Narrowband

764-870 MHz Broadband

Ruggedness, 870 MHz

購入/パラメータ

ドキュメント

絞り込み

アプリケーション・ノート (3)

Thermal Characterization Methodology of RF Power Amplifiers - Application Note[AN1955]

AN1907 Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Over-Molded Plastic Packages[AN1907]

Clamping of High Power RF Transistors and RFICs in Over-Molded Plastic Packages[AN3789]

エンジニアリング・ブリテン (1)

Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices[EB212]

サポート情報 (1)

New Generation of Land Mobile Radio Products[LANDMOBILE_TRN_SI]

データ・シート (1)

AFT09MS031NR1, AFT09MS031GNR1 764-941 MHz, 31 W, 13.6 V Wideband RF Power LDMOS Transistors - Data Sheet[AFT09MS031N]

パッケージ情報 (2)

98ASA99301D, TO, 9.65x6.1x2.11, Pitch 4.98, 3 Pins[SOT1731-1]

98ASH98117A, TO, 9.65x6.1x2.03, Pitch 6.06, 3 Pins[SOT1732-1]

ホワイト・ペーパ (1)

Designing with Plastic RF Power Transistors White Paper[RFPLASTICWP]

設計・リソース

デザイン・ファイル

絞り込み

AFT09MS031N RF High-Power Model AWR Product Model Design Kit.

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AFT09MS031N RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

AFT09MS031NR1, AFT09MS031GNR1 S-Parameters

AFT09MS031N 870 MHz Narrowband PCB DXF file

AFT09MS031NR1, AFT09MS031GNR1 RF Power Electromigration MTTF Calculation Program

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