A3T18H360W23S|1805-1880 MHz, 63 W Avg, 28 V

製品
無線周波数
レガシーRF
レガシーRFパワー
- A2I20D020N
- A2I20D040N
- A2I20H060N
- A2T07D160W04S
- A2T09D400-23N
- A2T14H450-23N
- A2T21H100-25S
- A2T23H160-24S
- A2T27S020N
- A3I35D025WN
- A3T09S100N
- A3T18H360W23S
- A3T21H360W23S
- AFIC901N
- AFM906N
- AFM907N
- AFM912N
- AFSC5G23D37
- AFSC5G26D37
- AFT05MP075N
- AFT05MS004N
- AFT05MS006N
- AFT05MS031N
- AFT09MP055N
- AFT09MS007N
- AFT09MS015N
- AFT09MS031N
- AFT27S006N
- AFT27S012N
- MD8IC970N
- MHT1803A
- MHT2012N
- MMRF1004N
- MMRF1308H
- MMRF1314H
- MMT20303H
- MRF101AN
- MRF13750H
- MRF1518NT1
- MRF1K50H
- MRF1K50N
- MRF300AN
- MRF6V10010N
- MRF6V12250H
- MRF6V12500H
- MRF6V14300H
- MRF8VP13350N
- MRFE6S9060NR1
- MRFE6VP100H
- MRFE6VP5150N
- MRFE6VP5600H
- MRFE6VP61K25H
- MRFE6VP61K25N
- MRFE6VP6300H
- MRFE6VP6600N
- MRFE6VS25L
- MRFE6VS25N
- MRFE8VP8600H
- MRFX035H
- MRFX1K80H
- MRFX1K80N
- MRFX600H
- MW6S004NT1
- MW6S010N
- MW7IC008N
A3T18H360W23S

The A3T18H360W23S 63 W asymmetrical Doherty RF power LDMOS transistor is designed for cellular base station applications requiring very wide instantaneous bandwidth capability covering the frequency range of 1805 to 1880 MHz.

製品画像を見る

データ・シート

アプリケーション・ノート

製品詳細

Features

Advanced high performance in-package Doherty
Designed for wide instantaneous bandwidth applications
Greater negative gate-source voltage range for improved class C operation
Able to withstand extremely high output VSWR and broadband operating conditions
Designed for digital predistortion error correction systems
RoHS compliant

RF Performance Table

1800 MHz

Typical Doherty single-carrier W-CDMA performance: V_DD = 28 Vdc, I_DQA = 700 mA, V_GSB = 0.6 Vdc, P_out = 63 W Avg., input signal PAR = 9.9 dB @ 0.01% probability on CCDF.

Frequency	G_ps (dB)	η_D (%)	Output PAR (dB)	ACPR (dBc)
1805 MHz	16.3	52.8	7.7	–30.3
1840 MHz	16.6	52.3	7.6	–31.7
1880 MHz	16.6	51.6	7.5	–32.8

購入/パラメータ

‌ ‌ ‌	‌ ‌	‌ ‌	‌ ‌	‌ ‌	‌ ‌
‌ ‌ ‌	‌	‌	‌	‌	‌
‌ ‌ ‌	‌	‌	‌	‌	‌
‌ ‌ ‌	‌	‌	‌	‌	‌
‌ ‌ ‌	‌	‌	‌	‌	‌
‌ ‌ ‌	‌	‌	‌	‌	‌
‌ ‌ ‌	‌	‌	‌	‌	‌
‌ ‌ ‌	‌	‌	‌	‌	‌
‌ ‌ ‌	‌	‌	‌	‌	‌
‌ ‌ ‌	‌	‌	‌	‌	‌
‌ ‌ ‌	‌	‌	‌	‌	‌

ドキュメント

クイック・リファレンスドキュメンテーションの種類.

4 ドキュメント

コンパクトリスト

AN1908 - Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Air Cavity Packages[AN1908]

PDFFeb 24, 2011改訂 1

Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices[EB212]

PDFJan 19, 2004改訂 0

A3T18H360W23S 1805-1880 MHz, 63 W Avg, 28 V Data Sheet[A3T18H360W23S]

PDFJun 28, 2017改訂 1

98ASA00974D, ACP-1230S-4L2S[SOT1800-4]

PDFJun 21, 2017改訂 A

設計・リソース

デザイン・ファイル

クイック・リファレンス設計・ファイルの種類.

5 設計・ファイル

完全な内訳を受け取ります。 製品の設置面積などについては、 eCad ファイル.

シミュレーションとモデル
A3T18H360W23S Peaking Class C S-Parameters

S2P改訂 0May 26, 2017 00:00:0040.2 KBA3T18H360W23S-Peaking-Class-C

アカウントが必要です
ダウンロードToggle Dropdown
- キューに追加
- キューから削除
- ファイルサイズが大きい場合にお勧めします。
- キューを表示
シミュレーションとモデル
A3T18H360W23S Peaking Class AB S-Parameters

S2P改訂 0May 26, 2017 00:00:0040.2 KBA3T18H360W23S-Peaking-Class-AB

アカウントが必要です
ダウンロードToggle Dropdown
- キューに追加
- キューから削除
- ファイルサイズが大きい場合にお勧めします。
- キューを表示
シミュレーションとモデル
A3T18H360W23S Carrier S-Parameters

S2P改訂 0May 26, 2017 00:00:0040.2 KBA3T18H360W23S-Carrier

アカウントが必要です
ダウンロードToggle Dropdown
- キューに追加
- キューから削除
- ファイルサイズが大きい場合にお勧めします。
- キューを表示
プリント基板と回路図
A3T18H360W23S 1800 MHz PCB dxf file

ZIP改訂 2May 26, 2017 00:00:0099.2 KBA3T18H360W23S-1800-PCB

アカウントが必要です
ダウンロードToggle Dropdown
- キューに追加
- キューから削除
- ファイルサイズが大きい場合にお勧めします。
- キューを表示
電卓
A3T18H360W23S RF Power Electromigration MTTF Calculation Program

XLSX改訂 0Jul 6, 2017 00:00:0081.1 KBA3T18H360W23S_MTTF_CALC

アカウントが必要です
ダウンロードToggle Dropdown
- キューに追加
- キューから削除
- ファイルサイズが大きい場合にお勧めします。
- キューを表示

1805-1880 MHz, 63 W Avg., 28 V Airfast® RF Power LDMOS Transistor

製品詳細

Features

RF Performance Table

1800 MHz

購入/パラメータ

ドキュメント

絞り込み

アプリケーション・ノート (1)

AN1908 - Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Air Cavity Packages[AN1908]

エンジニアリング・ブリテン (1)

Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices[EB212]

データ・シート (1)

A3T18H360W23S 1805-1880 MHz, 63 W Avg, 28 V Data Sheet[A3T18H360W23S]

パッケージ情報 (1)

98ASA00974D, ACP-1230S-4L2S[SOT1800-4]

設計・リソース

デザイン・ファイル

絞り込み

A3T18H360W23S Peaking Class C S-Parameters

A3T18H360W23S Peaking Class AB S-Parameters

A3T18H360W23S Carrier S-Parameters

A3T18H360W23S 1800 MHz PCB dxf file

A3T18H360W23S RF Power Electromigration MTTF Calculation Program

絞り込み

サポート

お困りのことは何ですか？?

おすすめリンク

1805-1880 MHz, 63 W Avg., 28 V Airfast^® RF Power LDMOS Transistor