A2T14H450-23N|1427-1517 MHz, 93 W Avg, 31 V

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A2T14H450-23N

The A2T14H450-23N 93 W asymmetrical Doherty RF power LDMOS transistor is designed for cellular base station applications covering the frequency range of 1427 to 1517 MHz.

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データ・シート

アプリケーション・ノート

製品詳細

Features

Advanced high performance in-package Doherty
Greater negative gate-source voltage range for improved Class C operation
Designed for digital predistortion error correction systems
RoHS compliant

RF Performance Table

1500 MHz

Typical Doherty Single-Carrier W-CDMA Performance: V_DD = 31 Vdc, I_DQA = 1000 mA, V_GSB = 0.5 Vdc, P_out = 93 W Avg., Input Signal PAR = 9.9 dB @ 0.01% Probability on CCDF.

Frequency	G_ps (dB)	η_D (%)	Output PAR (dB)	ACPR (dBc)
1452 MHz	18.8	48.2	8.1	–38.2
1480 MHz	19.0	48.0	7.9	–39.2
1511 MHz	19.0	48.7	7.7	–38.6

購入/パラメータ

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ドキュメント

クイック・リファレンスドキュメンテーションの種類.

6 ドキュメント

コンパクトリスト

Thermal Characterization Methodology of RF Power Amplifiers - Application Note[AN1955]

PDFJul 11, 2024改訂 2
AN1907 Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Over-Molded Plastic Packages[AN1907]

PDFMay 13, 2009改訂 3
Clamping of High Power RF Transistors and RFICs in Over-Molded Plastic Packages[AN3789]

PDFMar 12, 2009改訂 0

Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices[EB212]

PDFJan 19, 2004改訂 0

A2T14H450-23N 1427-1517 MHz, 93 W Avg, 31 V Data Sheet[A2T14H450-23N]

PDFNov 14, 2022改訂 1

98ASA00885D, OMNI, 32.26x9.96x3.81, Pitch 13.72, 7 Pins[SOT1819-2]

PDFMar 14, 2016改訂 A

設計・リソース

デザイン・ファイル

クイック・リファレンス設計・ファイルの種類.

4 設計・ファイル

完全な内訳を受け取ります。 製品の設置面積などについては、 eCad ファイル.

シミュレーションとモデル
A2T14H450-23N S-Parameterss Peaking Class C

S2P改訂 0Feb 2, 2017 00:00:0051.4 KBA2T14H450-23N-PEAKING-CLASS-C

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シミュレーションとモデル
A2T14H450-23N S-Parameters Carrier side

S2P改訂 0Feb 2, 2017 00:00:0051.4 KBA2T14H450-23N-CARRIER

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シミュレーションとモデル
A2T14H450-23N S-Parameters Peaking Class AB

S2P改訂 0Feb 2, 2017 00:00:0051.4 KBA2T14H450-23N-PEAKING-CLASS-AB

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プリント基板と回路図
A2T14H450-23N_1500_PCB

ZIP改訂 2Jan 27, 2017 00:00:0049.3 KBA2T14H450-23N_1500_PCB

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1427-1517 MHz, 93 W Avg, 31 V Airfast® RF Power LDMOS Transistor

製品詳細

Features

RF Performance Table

1500 MHz

購入/パラメータ

ドキュメント

絞り込み

アプリケーション・ノート (3)

Thermal Characterization Methodology of RF Power Amplifiers - Application Note[AN1955]

AN1907 Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Over-Molded Plastic Packages[AN1907]

Clamping of High Power RF Transistors and RFICs in Over-Molded Plastic Packages[AN3789]

エンジニアリング・ブリテン (1)

Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices[EB212]

データ・シート (1)

A2T14H450-23N 1427-1517 MHz, 93 W Avg, 31 V Data Sheet[A2T14H450-23N]

パッケージ情報 (1)

98ASA00885D, OMNI, 32.26x9.96x3.81, Pitch 13.72, 7 Pins[SOT1819-2]

設計・リソース

デザイン・ファイル

絞り込み

A2T14H450-23N S-Parameterss Peaking Class C

A2T14H450-23N S-Parameters Carrier side

A2T14H450-23N S-Parameters Peaking Class AB

A2T14H450-23N_1500_PCB

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1427-1517 MHz, 93 W Avg, 31 V Airfast^® RF Power LDMOS Transistor