MRFE6VP5150N|150 W CW, 1.8-600 MHz, , 50 V

製品
無線周波数
レガシーRF
レガシーRFパワー
- A2I20D020N
- A2I20D040N
- A2I20H060N
- A2T07D160W04S
- A2T09D400-23N
- A2T14H450-23N
- A2T21H100-25S
- A2T23H160-24S
- A2T27S020N
- A3I35D025WN
- A3T09S100N
- A3T18H360W23S
- A3T21H360W23S
- AFIC901N
- AFM906N
- AFM907N
- AFM912N
- AFSC5G23D37
- AFSC5G26D37
- AFT05MP075N
- AFT05MS004N
- AFT05MS006N
- AFT05MS031N
- AFT09MP055N
- AFT09MS007N
- AFT09MS015N
- AFT09MS031N
- AFT27S006N
- AFT27S012N
- MD8IC970N
- MHT1803A
- MHT2012N
- MMRF1004N
- MMRF1308H
- MMRF1314H
- MMT20303H
- MRF101AN
- MRF13750H
- MRF1518NT1
- MRF1K50H
- MRF1K50N
- MRF300AN
- MRF6V10010N
- MRF6V12250H
- MRF6V12500H
- MRF6V14300H
- MRF8VP13350N
- MRFE6S9060NR1
- MRFE6VP100H
- MRFE6VP5150N
- MRFE6VP5600H
- MRFE6VP61K25H
- MRFE6VP61K25N
- MRFE6VP6300H
- MRFE6VP6600N
- MRFE6VS25L
- MRFE6VS25N
- MRFE8VP8600H
- MRFX035H
- MRFX1K80H
- MRFX1K80N
- MRFX600H
- MW6S004NT1
- MW6S010N
- MW7IC008N
MRFE6VP5150N

These high ruggedness devices, MRFE6VP5150NR1 and MRFE6VP5150GNR1, are designed for use in high VSWR industrial (including laser and plasma exciters), broadcast (analog and digital), aerospace and radio/land mobile applications. They are unmatched input and output designs allowing wide frequency range utilization, between 1.8 and 600 MHz.

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データ・シート

アプリケーション・ノート

製品詳細

Features

Wide Operating Frequency Range
Extreme Ruggedness
Unmatched Input and Output Allowing Wide Frequency Range Utilization
Integrated Stability Enhancements
Low Thermal Resistance
Integrated ESD Protection Circuitry
RoHS Compliant
In Tape and Reel. R1 Suffix = 500 Units, 44 mm Tape Width, 13-inch Reel.

RF Performance Tables

87.5-108 MHz Broadband

V_DD = 50 Vdc

Frequency (MHz)	Signal Type	Pout (W)	G_ps (dB)	η_D (%)
87.5-108^(1,3)	CW	179	22.5	74.6

230 MHz Narrowband

V_DD = 50 Vdc

Frequency (MHz)	Signal Type	Pout (W)	G_ps (dB)	η_D (%)
230⁽²⁾	CW	150	26.3	72.0
230⁽²⁾	Pulse (100 µsec, 20% Duty Cycle)	150 Peak	26.1	70.3

Ruggedness

Frequency (MHz)	Signal Type	VSWR	Pin (W)	Test Voltage	Result
98⁽¹⁾	CW	> 65:1 at all Phase Angles	3.0 (3 dB Overdrive)	50	No Device Degradation
230⁽²⁾	Pulse (100 µsec, 20% Duty Cycle)	> 65:1 at all Phase Angles	0.62 Peak (3 dB Overdrive)	50	No Device Degradation

1. Measured in 87.5-108 MHz broadband reference circuit.
2. Measured in 230 MHz narrowband test circuit.
3. The values shown are the minimum measured performance numbers across the indicated frequency range.

購入/パラメータ

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ドキュメント

クイック・リファレンスドキュメンテーションの種類.

7 ドキュメント

コンパクトリスト

Quiescent Current Control for the RF Integrated Circuit Device Family - AN1987[AN1987]

PDFMay 12, 2004改訂 1

Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices[EB212]

PDFJan 19, 2004改訂 0

Rugged Plastic for Industrial Applications[RF_RUGGED_PLASTIC_INDUSTRIAL_TRN]

PDFMay 23, 2014改訂 0

MRFE6VP5150NR1, MRFE6VP5150GNR1 1.8-600 MHz, 150 W CW, 50 V Wideband RF Power LDMOS Transistors - Data Sheet[MRFE6VP5150N]

PDFJul 25, 2014改訂 1

98ASA10578D, TO, 17.0x9.0x2.59, Pitch 0.21, 4 Pins[SOT1736-2]

PDFMar 17, 2016改訂 E
98ASA10577D, TO, 17.53x9.02x2.59, Pitch 5.38, 5 Pins[SOT1736-1]

PDFJan 18, 2016改訂 F

Designing with Plastic RF Power Transistors White Paper[RFPLASTICWP]

PDFSep 24, 2015改訂 2

設計・リソース

デザイン・ファイル

クイック・リファレンス設計・ファイルの種類.

5 設計・ファイル

完全な内訳を受け取ります。 製品の設置面積などについては、 eCad ファイル.

シミュレーションとモデル
RF High Power Model ADS Model Kit goto: Click the Download button to select.

HTML改訂 1Sep 20, 2016 00:00:00785 BRF_HIGH_POWER_MODEL_ADS_KIT
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シミュレーションとモデル
RF High Power Model AWR Model Kit goto: Click the Download button to select.

HTML改訂 1Sep 20, 2016 00:00:00802 BRF_HIGH_POWER_MODEL_AWR_KIT
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シミュレーションとモデル
MRFE6VP5150N RF High-Power Model AWR Product Model Design Kit

ZIP改訂 0Apr 2, 2015 00:00:00410.9 KBMRFE6VP5150N_MDL_AWR

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シミュレーションとモデル
MRFE6VP5150N RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

ZIP改訂 1Jun 17, 2019 00:00:00135.5 KBMRFE6VP5150N_MDL_ADS

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電卓
MRFE6VP5150N RF Power Electromigration MTTF Calculation Program

XLSX改訂 0Apr 3, 2019 00:00:0091.3 KBMRFE6VP5150N-MTTF-CALC

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1.8-600 MHz, 150 W CW, 50 V Wideband RF Power LDMOS Transistors

製品詳細

Features

RF Performance Tables

87.5-108 MHz Broadband

230 MHz Narrowband

Ruggedness

購入/パラメータ

ドキュメント

絞り込み

アプリケーション・ノート (1)

Quiescent Current Control for the RF Integrated Circuit Device Family - AN1987[AN1987]

エンジニアリング・ブリテン (1)

Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices[EB212]

サポート情報 (1)

Rugged Plastic for Industrial Applications[RF_RUGGED_PLASTIC_INDUSTRIAL_TRN]

データ・シート (1)

MRFE6VP5150NR1, MRFE6VP5150GNR1 1.8-600 MHz, 150 W CW, 50 V Wideband RF Power LDMOS Transistors - Data Sheet[MRFE6VP5150N]

パッケージ情報 (2)

98ASA10578D, TO, 17.0x9.0x2.59, Pitch 0.21, 4 Pins[SOT1736-2]

98ASA10577D, TO, 17.53x9.02x2.59, Pitch 5.38, 5 Pins[SOT1736-1]

ホワイト・ペーパ (1)

Designing with Plastic RF Power Transistors White Paper[RFPLASTICWP]

設計・リソース

デザイン・ファイル

絞り込み

RF High Power Model ADS Model Kit goto: Click the Download button to select.

RF High Power Model AWR Model Kit goto: Click the Download button to select.

MRFE6VP5150N RF High-Power Model AWR Product Model Design Kit

MRFE6VP5150N RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

MRFE6VP5150N RF Power Electromigration MTTF Calculation Program

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