AFT09MS007N|7 W CW, 136-941 MHz, 7.5 V

The AFT09MS007NT1 is designed for handheld two-way radio applications with frequencies from 136 to 941 MHz. The high gain, ruggedness and wideband performance of this device makes it ideal for large-signal, common source amplifier applications in handheld radio equipment.

製品画像を見る

データシート

アプリケーション・ノート

製品詳細

Features

Characterized for Operation from 136 to 941 MHz
Unmatched Input and Output Allowing Wide Frequency Range Utilization
Integrated ESD Protection
Integrated Stability Enhancements
Wideband — Full Power Across the Band
Exceptional Thermal Performance
Extreme Ruggedness
High Linearity for: TETRA, SSB
RoHS Compliant
In Tape and Reel. T1 Suffix = 1,000 Units, 16 mm Tape Width, 7-inch Reel.

Output Stage VHF Band Handheld Radio
Output Stage UHF Band Handheld Radio
Output Stage for 700-800 MHz Handheld Radio

RF Performance Tables

870 MHz Narrowband

(7.5 Vdc, I_DQ = 100 mA, T_A = 25°C, CW)

Frequency (MHz)	G_ps (dB)	η_D (%)	Pout (W)
870	15.2	71.0	7.3

Wideband Performance

(7.5 Vdc, T_A = 25°C, CW)

Frequency (MHz)	Pin (W)	G_ps (dB)	η_D (%)	Pout (W)
136-174	0.25	14.6	69.0	7.2
350-470	0.20	15.6	60.9	7.3
450-520	0.22	15.4	56.0	7.5
760-860	0.23	15.1	48.1	7.5

Ruggedness, 870 MHz

Frequency (MHz)	Signal Type	VSWR	Pin (W)	Test Voltage	Result
870	CW	> 65:1 at all Phase Angles	0.4 (3 dB Overdrive)	10.8	No Device Degradation

ドキュメンテーション

クイック・リファレンスドキュメンテーションの種類.

4 ドキュメント

^{データ・シート}
AFT09MS007NT1 136-941 MHz, 7 W, 7.5 V Wideband RF Power LDMOS Transistor - Data Sheet

PDF改訂 1Apr 21, 20141.4 MBAFT09MS007NEnglish
^{アプリケーション・ノート}
How to Extend Bandwidth AFT09MS007N Application Note

PDF改訂 0Aug 26, 2014949.9 KBAN4859English
^{エンジニアリング・ブリテン}
Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices

PDF改訂 0Jan 19, 2004171.0 KBEB212English
^{パッケージ情報}
98ASA00476D, PLD-1.5W, 6.6x5.84x1.74, Pitch 4.6, 3 Pins

PDF改訂 AFeb 15, 201655.3 KBSOT1811-2English

設計・リソース

設計・ファイル

1-5 の 10 設計・ファイル

^{シミュレーションとモデル}
RF High Power Model ADS Model Kit goto: Click the Download button to select.

HTML改訂 1Sep 20, 2016 00:00:00785 BRF_HIGH_POWER_MODEL_ADS_KIT

ダウンロード
^{シミュレーションとモデル}
RF High Power Model AWR Model Kit goto: Click the Download button to select.

HTML改訂 1Sep 20, 2016 00:00:00802 BRF_HIGH_POWER_MODEL_AWR_KIT

ダウンロード
^{シミュレーションとモデル}
AFT09MS007N S-Parameters

S2P改訂 0May 9, 2016 00:00:0026.3 KBAFT09MS007N_SP

ダウンロード
^{シミュレーションとモデル}
AFT09MS007N RF High-Power Model AWR Product Model Design Kit

ZIP改訂 0Apr 2, 2015 00:00:001.1 MBAFT09MS007N_MDL_AWR

ダウンロード
^{シミュレーションとモデル}
AFT09MS007N RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

ZIP改訂 1Jun 17, 2019 00:00:00163.2 KBAFT09MS007N_MDL_ADS

ダウンロード
^{プリント基板と回路図}
AFT09MS007N 870 MHz Narrowband PCB DXF file

ZIP改訂 2Jun 5, 2013 00:00:00361.3 KBAFT09MS007N_870NB_PCB

ダウンロード
^{プリント基板と回路図}
AFT09MS007N 450-520 MHz PCB DXF file

ZIP改訂 2Apr 30, 2014 00:00:0030.6 KBAFT09MS007N_450_520_PCB

ダウンロード
^{プリント基板と回路図}
AFT09MS007N 760-870 MHz PCB DXF file

ZIP改訂 1Apr 30, 2014 00:00:0017.8 KBAFT09MS007N_760_870_PCB

ダウンロード
^{プリント基板と回路図}
AFT09MS007N 350-470 MHz PCB DXF file

ZIP改訂 1Apr 30, 2014 00:00:0030.7 KBAFT09MS007N_350_470_PCB

ダウンロード
^電卓
AFT09MS007NT1 RF Power Electromigration MTTF Calculation Program

XLSX改訂 0Jun 5, 2013 00:00:0032.2 KBAFT09MS007N_MTTF_CALC

ダウンロード

全て表示

136-941 MHz, 7 W, 7.5 V Wideband RF Power LDMOS Transistor

製品詳細

Features

RF Performance Tables

870 MHz Narrowband

Wideband Performance

Ruggedness, 870 MHz

ドキュメンテーション

絞り込み

設計・リソース

設計・ファイル

絞り込み

RF High Power Model ADS Model Kit goto: Click the Download button to select.

RF High Power Model AWR Model Kit goto: Click the Download button to select.

AFT09MS007N S-Parameters

AFT09MS007N RF High-Power Model AWR Product Model Design Kit

AFT09MS007N RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

AFT09MS007N 870 MHz Narrowband PCB DXF file

AFT09MS007N 450-520 MHz PCB DXF file

AFT09MS007N 760-870 MHz PCB DXF file

AFT09MS007N 350-470 MHz PCB DXF file

AFT09MS007NT1 RF Power Electromigration MTTF Calculation Program

絞り込み

サポート

お困りのことは何ですか？?

おすすめリンク