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A2T07D160W04S

The A2T07D160W04SR3 30 W symmetrical Doherty RF power LDMOS transistor is designed for cellular base station applications requiring very wide instantaneous bandwidth capability covering the frequency range of 716 to 960 MHz.

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データ・シート

製品詳細

Features

Designed for Wide Instantaneous Bandwidth Applications
Greater Negative Gate-Source Voltage Range for Improved Class C Operation
Able to Withstand Extremely High Output VSWR and Broadband Operating Conditions
Designed for Digital Predistortion Error Correction Systems
RoHS Compliant
In Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units, 32 mm Tape Width, 13-inch Reel.

RF Performance Tables

780 MHz

Typical Doherty Single-Carrier W-CDMA Performance: V_DD = 28 Vdc, I_DQA = 450 mA, V_GSB = 1.2 Vdc, Pout = 30 W Avg., Input Signal PAR = 9.9 dB @ 0.01% Probability on CCDF.

Frequency	G_ps (dB)	η_D (%)	Output PAR (dB)	ACPR (dBc)
758 MHz	22.2	47.7	7.3	–29.3
780 MHz	22.1	47.9	7.3	–30.1
803 MHz	21.5	48.5	7.2	–31.4

880 MHz

Typical Doherty Single-Carrier W-CDMA Performance: V_DD = 28 Vdc, I_DQA = 450 mA, V_GSB = 1.3 Vdc, Pout = 30 W Avg., Input Signal PAR = 9.9 dB @ 0.01% Probability on CCDF.

Frequency	G_ps (dB)	η_D (%)	Output PAR (dB)	ACPR (dBc)
865 MHz	20.5	48.4	7.4	–31.5
880 MHz	20.5	48.6	7.4	–31.6
895 MHz	20.3	49.2	7.3	–31.6

購入/パラメータ

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ドキュメント

クイック・リファレンスドキュメンテーションの種類

3 ドキュメント

コンパクトリスト

Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices[EB212]

PDFJan 19, 2004改訂 0

A2T07D160W04SR3 716-960 MHz, 30 W Avg., 28 V Airfast^® RF Power LDMOS Transistor - Data Sheet[A2T07D160W04S]

PDFAug 13, 2014改訂 0

NI-780S-4L[98ASA10718D]

PDFAug 15, 2016改訂 C

設計・リソース

デザイン・ファイル

クイック・リファレンス設計・ファイルの種類.

1-5件/全 6 設計・ファイル

完全な内訳を受け取ります。 製品の設置面積などについては、 eCad ファイル.

シミュレーションとモデル
A2T07D160W04S RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

ZIP改訂 1Jun 17, 2019 00:00:00320.47 KBA2T07D160W04S_MDL_ADS

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シミュレーションとモデル
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HTML改訂 1Sep 20, 2016 00:00:00785 BRF_HIGH_POWER_MODEL_ADS_KIT
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シミュレーションとモデル
A2T07D160W04SR3 S-Parameters

S2P改訂 0Aug 13, 2014 00:00:0010.42 KBA2T07D160W04S_PEAKING_1P2V_SP

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シミュレーションとモデル
A2T07D160W04SR3 S-Parameters

S2P改訂 0Aug 13, 2014 00:00:0010.42 KBA2T07D160W04S_CARRIER_450MA_SP

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プリント基板と回路図
A2T07D160W04S 865-895 MHz PCB DXF file

ZIP改訂 1Aug 13, 2014 00:00:00155.73 KBA2T07D160W04S_865_895_PCB

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A2T07D160W04S 758-803 MHz PCB DXF file

ZIP改訂 3Aug 13, 2014 00:00:00151.30 KBA2T07D160W04S_758_803_PCB

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716-960 MHz, 30 W Avg., 28 V Airfast® RF Power LDMOS Transistor

製品詳細

Features

RF Performance Tables

780 MHz

880 MHz

購入/パラメータ

ドキュメント

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エンジニアリング・ブリテン (1)

Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices[EB212]

データ・シート (1)

A2T07D160W04SR3 716-960 MHz, 30 W Avg., 28 V Airfast® RF Power LDMOS Transistor - Data Sheet[A2T07D160W04S]

パッケージ情報 (1)

NI-780S-4L[98ASA10718D]

設計・リソース

デザイン・ファイル

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A2T07D160W04S RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

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A2T07D160W04SR3 S-Parameters

A2T07D160W04SR3 S-Parameters

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A2T07D160W04S 758-803 MHz PCB DXF file

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