A2T23H160-24S|Airfast® 28 W, 2300-2400 MHz

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- MRFE6VP61K25H
- MRFE6VP61K25N
- MRFE6VP6300H
- MRFE6VP6600N
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- MRFX1K80H
- MRFX1K80N
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- MW6S004NT1
- MW6S010N
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A2T23H160-24S

The A2T23H160-24SR3 28 W asymmetrical Doherty RF power LDMOS transistor is designed for cellular base station applications covering the frequency range of 2300 to 2400 MHz.

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データ・シート

製品詳細

Features

Advanced High Performance In-Package Doherty
Greater Negative Gate-Source Voltage Range for Improved Class C Operation
Designed for Digital Predistortion Error Correction Systems
RoHS Compliant

RF Performance Table

2300 MHz

Typical Doherty Single-Carrier W-CDMA Performance: V_DD = 28 Vdc, I_DQA = 350 mA, V_GSB = 0.7 Vdc, Pout = 28 W Avg., Input Signal PAR = 9.9 dB @ 0.01% Probability on CCDF.

Frequency	G_ps (dB)	η_D (%)	Output PAR (dB)	ACPR (dBc)
2300 MHz	17.7	48.8	7.9	–33.5
2350 MHz	17.7	48.4	8.0	–37.2
2400 MHz	17.8	48.2	7.9	–37.0

購入/パラメータ

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ドキュメント

クイック・リファレンスドキュメンテーションの種類.

3 ドキュメント

コンパクトリスト

Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices[EB212]

PDFJan 19, 2004改訂 0

A2T23H160-24S 2300-2400 MHz, 28 W Avg, 28 V Data Sheet[A2T23H160-24S]

PDFNov 17, 2015改訂 0

98ASA00674D, NI-780S-4L2L, 20.57x9.78x3.81, Pitch 8.89, 7 Pins[SOT1799-3]

PDFJan 16, 2014改訂 O

設計・リソース

デザイン・ファイル

クイック・リファレンス設計・ファイルの種類.

5 設計・ファイル

完全な内訳を受け取ります。 製品の設置面積などについては、 eCad ファイル.

シミュレーションとモデル
RF High Power Model ADS Model Kit goto: Click the Download button to select.

HTML改訂 1Sep 20, 2016 00:00:00785 BRF_HIGH_POWER_MODEL_ADS_KIT
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シミュレーションとモデル
RF High Power Model AWR Model Kit goto: Click the Download button to select.

HTML改訂 1Sep 20, 2016 00:00:00802 BRF_HIGH_POWER_MODEL_AWR_KIT
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シミュレーションとモデル
A2T23H160-24S RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

ZIP改訂 1Jun 17, 2019 00:00:00911.0 KBA2T23H160_24S_MDL_ADS

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シミュレーションとモデル
A2T23H160-24S RF High-Power Model AWR Product Model Design Kit

ZIP改訂 0Sep 20, 2016 00:00:002.2 MBA2T23H160_24S_MDL_AWR

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電卓
A2T23H160-24S RF Power Electromigration MTTF Calculation Program

XLSX改訂 0Aug 23, 2016 00:00:0042.1 KBA2T23H160-24S_MTTF_CALC

アカウントが必要です
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2300-2400 MHz, 28 W AVG., 28 V Airfast® RF Power LDMOS Transistor

製品詳細

Features

RF Performance Table

2300 MHz

購入/パラメータ

ドキュメント

絞り込み

エンジニアリング・ブリテン (1)

Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices[EB212]

データ・シート (1)

A2T23H160-24S 2300-2400 MHz, 28 W Avg, 28 V Data Sheet[A2T23H160-24S]

パッケージ情報 (1)

98ASA00674D, NI-780S-4L2L, 20.57x9.78x3.81, Pitch 8.89, 7 Pins[SOT1799-3]

設計・リソース

デザイン・ファイル

絞り込み

RF High Power Model ADS Model Kit goto: Click the Download button to select.

RF High Power Model AWR Model Kit goto: Click the Download button to select.

A2T23H160-24S RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

A2T23H160-24S RF High-Power Model AWR Product Model Design Kit

A2T23H160-24S RF Power Electromigration MTTF Calculation Program

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