1.8-2000 MHz, 25 W, 50 V Wideband RF Power LDMOS Transistors

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製品詳細

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Features

  • Wide Operating Frequency Range
  • Extreme Ruggedness
  • Unmatched, Capable of Very Broadband Operation
  • Integrated Stability Enhancements
  • Low Thermal Resistance
  • Extended ESD Protection Circuit
  • RoHS Compliant
  • In Tape and Reel. R1 Suffix = 500 Units, 24 mm Tape Width, 13-inch Reel.

RF Performance Tables

VHF-UHF Performance

VDD = 50 Volts

512 MHz Narrowband, 1030 MHz Narrowband

VDD = 50 Volts

Ruggedness, 1030 MHz

ドキュメンテーション

クイック・リファレンス ドキュメンテーションの種類.

1-5 の 7 ドキュメント

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設計・リソース

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設計・ファイル

1-5 の 13 設計・ファイル

  • シミュレーションとモデル

    RF High Power Model ADS Model Kit goto: Click the Download button to select.

  • シミュレーションとモデル

    MRFE6VS25N RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

  • シミュレーションとモデル

    MRFE6VS25NR1 RF High-Power Model AWR Product Model Design Kit.

  • シミュレーションとモデル

    RF High Power Model AWR Model Kit goto: Click the Download button to select.

  • シミュレーションとモデル

    MRFE6VS25NR1 S-Parameters

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サポート

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