1.8-2000 MHz, 25 W, 50 V Wideband RF Power LDMOS Transistor

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製品詳細

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Features

  • Wide Operating Frequency Range
  • Very Rugged
  • Unmatched, Capable of Very Broadband Operation
  • Integrated Stability Enhancements
  • Low Thermal Resistance
  • Extended ESD Protection Circuit
  • RoHS Compliant

RF Performance Tables

HF, 1.8-30 MHz

VDD = 50 Volts
Frequency
(MHz)
Signal Type Pout
(W)
Gps
(dB)
ηD
(%)
IMD
(dBc)
1.8 to 30(1,3)Two-Tone
(10 kHz spacing)
25 PEP25.050.0–28

30-512 MHz Broadband

VDD = 50 Volts
Frequency
(MHz)
Signal Type Pout
(W)
Gps
(dB)
ηD
(%)
IMD
(dBc)
30-512(2,3)Two-Tone
(200 kHz spacing)
25 PEP17.332.0–32

512 MHz Narrowband

VDD = 50 Volts
Frequency
(MHz)
Signal Type Pout
(W)
Gps
(dB)
ηD
(%)
512(4)Pulse (100 µsec,
20% Duty Cycle)
25 Peak25.974.0
512(4)CW2526.075.0

Ruggedness

Frequency
(MHz)
Signal Type VSWR Pin
(W)
Test
Voltage
Result
30(1)CW>65:1
at all Phase
Angles
0.11
(3 dB
Overdrive)
50No
Device
Degradation
512(2)CW0.95
(3 dB
Overdrive)
512(4)Pulse
(100 µsec,
20% Duty Cycle)
0.14 Peak
(3 dB
Overdrive)
512(4)CW0.14
(3 dB
Overdrive)
1. Measured in 1.8-30 MHz broadband reference circuit.
2. Measured in 30-512 MHz broadband reference circuit.
3. The values shown are the minimum measured performance numbers across the indicated frequency range.
4. Measured in 512 MHz narrowband test circuit.

ドキュメンテーション

クイック・リファレンス ドキュメンテーションの種類.

4 ドキュメント

設計・リソース

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設計・ファイル

1-5 の 11 設計・ファイル

  • シミュレーションとモデル

    RF High Power Model ADS Model Kit goto: Click the Download button to select.

  • シミュレーションとモデル

    RF High Power Model AWR Model Kit goto: Click the Download button to select.

  • シミュレーションとモデル

    MRFE6VS25LR5 S-Parameters

  • シミュレーションとモデル

    MRFE6VS25LR5 RF High-Power Model AWR Product Model Design Kit.

  • シミュレーションとモデル

    MRFE6VS25L RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

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