600 W CW over 1.8-400 MHz, 65 V Wideband RF Power LDMOS Transistor

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製品詳細

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Features

  • Unmatched input and output allowing wide frequency range utilization
  • Output impedance fits a 4:1 transformer
  • Device can be used single-ended or in a push-pull configuration
  • Qualified up to a maximum of 65 VDD operation
  • Characterized from 30 to 65 V for extended power range
  • High breakdown voltage for enhanced reliability
  • Suitable for linear application with appropriate biasing
  • Integrated ESD protection with greater negative gate-source voltage range for improved Class C operation
  • RoHS compliant
  • Industrial, scientific, medical (ISM)
    • Laser generation
    • Plasma generation
    • Particle accelerators
    • MRI, RF ablation and skin treatment
    • Industrial heating, welding and drying systems
  • Radio and VHF TV broadcast
  • Aerospace
    • HF communications
    • Radar
  • Mobile Radio
    • HF and VHF communications
    • PMR base stations

部品番号: MRFX600GS, MRFX600H, MRFX600H-230MHZ, MRFX600H-88MHZ, MRFX600HS.

RF Performance Tables

Typical Performance

Frequency
(MHz)
Signal Type VDD
(V)
Pout
(W)
Gps
(dB)
ηD
(%)
87.5-108 (1,2)CW62680 CW21.383.0
230 (3)Pulse
(100 µsec, 20% Duty Cycle)
65600 Peak26.474.4

Load Mismatch/Ruggedness

Frequency
(MHz)
Signal Type VSWR Pin
(W)
Test
Voltage
Result
230 (3)Pulse
(100 µsec, 20% Duty Cycle)
> 65:1
at all Phase Angles
2.5 Peak
(3 dB Overdrive)
65No Device Degradation
1. Measured in 87.5-108 MHz broadband reference circuit.
2. The values shown are the center band performance numbers across the indicated frequency range.
3. Measured in 230 MHz production test fixture.

ドキュメンテーション

クイック・リファレンス ドキュメンテーションの種類.

1-5 の 7 ドキュメント

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