A2T21H100-25S|2110-2170 MHz, 18 W, 28 V

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A2T21H100-25S

The A2T21H100-25SR3 18 W asymmetrical Doherty RF power LDMOS transistor is designed for cellular base station applications covering the frequency range of 2110 to 2170 MHz.

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データシート

製品詳細

Features

Advanced High Performance In-Package Doherty
Greater Negative Gate-Source Voltage Range for Improved Class C Operation
Designed for Digital Predistortion Error Correction Systems
RoHS Compliant

部品番号： A2T21H100-25S.

RF Performance Table

2100 MHz

Typical Doherty Single-Carrier W-CDMA Performance: V_DD = 28 Vdc, I_DQA = 250 mA, V_GSB = 0.2 Vdc, Pout = 18 W Avg., Input Signal PAR = 9.9 dB @ 0.01% Probability on CCDF.

Frequency	G_ps (dB)	η_D (%)	Output PAR (dB)	ACPR (dBc)
2110 MHz	17.3	52.1	8.2	–32.4
2140 MHz	17.4	51.0	8.0	–33.1
2170 MHz	17.4	50.5	8.0	–35.0

ドキュメント

クイック・リファレンスドキュメンテーションの種類.

3 ドキュメント

^{データ・シート}
A2T21H100-25S 2110–2170 MHz, 18 W Avg., 28 V Airfast^® RF Power LDMOS Transistor Data Sheet

PDF改訂 1Jan 26, 2022443.3 KBA2T21H100-25SEnglish
^{エンジニアリング・ブリテン}
Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices

PDF改訂 0Jan 19, 2004171.0 KBEB212English
^{パッケージ情報}
98ASA00406D, NI-C, 20.57x9.78x3.81, Pitch 8.89, 9 Pins

PDF改訂 AFeb 15, 201656.1 KBSOT1797-1English

設計・リソース

デザイン・ファイル

1-5 の 7 設計・ファイル

^{シミュレーションとモデル}
RF High Power Model ADS Model Kit goto: Click the Download button to select.

HTML改訂 1Sep 20, 2016 00:00:00785 BRF_HIGH_POWER_MODEL_ADS_KIT
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^{シミュレーションとモデル}
RF High Power Model AWR Model Kit goto: Click the Download button to select.

HTML改訂 1Sep 20, 2016 00:00:00802 BRF_HIGH_POWER_MODEL_AWR_KIT
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^{シミュレーションとモデル}
A2T21H100-25S RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

ZIP改訂 1Jun 17, 2019 00:00:00547.9 KBA2T21H100_25S_MDL_ADS
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^{シミュレーションとモデル}
A2T21H100-25SR3 S-Parameters

S2P改訂 0Jun 1, 2015 00:00:0048.1 KBA2T21H100_25S_PEAKING_CLASS_C_SP
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^{シミュレーションとモデル}
A2T21H100-25SR3 S-Parameters

S2P改訂 0Jun 1, 2015 00:00:0048.1 KBA2T21H100_25S_CARRIER_250MA_SP
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^{シミュレーションとモデル}
A2T21H100-25S RF High-Power Model AWR Product Model Design Kit

ZIP改訂 0Jul 21, 2015 00:00:001.4 MBA2T21H100_25S_MDL_AWR
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^{シミュレーションとモデル}
A2T21H100-25SR3 S-Parameters

S2P改訂 0Jun 1, 2015 00:00:0048.1 KBA2T21H100_25S_PEAKING_300MA_SP
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2110-2170 MHz, 18 W Avg., 28 V Airfast® RF Power LDMOS Transistor

製品詳細

Features

RF Performance Table

2100 MHz

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A2T21H100-25S RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

A2T21H100-25SR3 S-Parameters

A2T21H100-25SR3 S-Parameters

A2T21H100-25S RF High-Power Model AWR Product Model Design Kit

A2T21H100-25SR3 S-Parameters

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