2110-2170 MHz, 18 W Avg., 28 V Airfast® RF Power LDMOS Transistor

A2T21H100-25S
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The A2T21H100-25SR3 18 W asymmetrical Doherty RF power LDMOS transistor is designed for cellular base station applications covering the frequency range of 2110 to 2170 MHz.

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製品詳細

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Features

  • Advanced High Performance In-Package Doherty
  • Greater Negative Gate-Source Voltage Range for Improved Class C Operation
  • Designed for Digital Predistortion Error Correction Systems
  • RoHS Compliant

RF Performance Table

2100 MHz

Typical Doherty Single-Carrier W-CDMA Performance: VDD = 28 Vdc, IDQA = 250 mA, VGSB = 0.2 Vdc, Pout = 18 W Avg., Input Signal PAR = 9.9 dB @ 0.01% Probability on CCDF.
Frequency Gps
(dB)		 ηD
(%)		 Output PAR
(dB)		 ACPR
(dBc)
2110 MHz17.352.18.2–32.4
2140 MHz17.451.08.0–33.1
2170 MHz17.450.58.0–35.0

ドキュメンテーション

クイック・リファレンス ドキュメンテーションの種類.

フィルタ

3 ドキュメント

設計・リソース

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設計・ファイル

フィルタ

1-5 の 7 設計・ファイル

  • シミュレーションとモデル

    RF High Power Model ADS Model Kit goto: Click the Download button to select.

    HTML改訂 1Sep 20, 2016 00:00:00785 BRF_HIGH_POWER_MODEL_ADS_KIT
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  • シミュレーションとモデル

    RF High Power Model AWR Model Kit goto: Click the Download button to select.

    HTML改訂 1Sep 20, 2016 00:00:00802 BRF_HIGH_POWER_MODEL_AWR_KIT
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  • シミュレーションとモデル

    A2T21H100-25S RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

    ZIP改訂 1Jun 17, 2019 00:00:00547.9 KBA2T21H100_25S_MDL_ADS
    ダウンロード
  • シミュレーションとモデル

    A2T21H100-25SR3 S-Parameters

    S2P改訂 0Jun 1, 2015 00:00:0048.1 KBA2T21H100_25S_PEAKING_CLASS_C_SP
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  • シミュレーションとモデル

    A2T21H100-25SR3 S-Parameters

    S2P改訂 0Jun 1, 2015 00:00:0048.1 KBA2T21H100_25S_CARRIER_250MA_SP
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