1800 W CW over 1.8-400 MHz, 65 V Wideband RF Power LDMOS Transistor

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製品詳細

部品番号: MRFX1K80H.

RF Performance Tables

Typical Performance

Frequency
(MHz)
Signal Type VDD
(V)
Pout
(W)
Gps
(dB)
ηD
(%)
27 (1)CW651800 CW27.875.6
64Pulse (100 µsec, 10% Duty Cycle)651800 Peak27.169.5
81.36CW631700 CW24.576.3
87.5-108 (2,3)CW601600 CW23.682.5
123/128Pulse (100 µsec, 10% Duty Cycle)651800 Peak25.969.0
144CW651800 CW23.578.0
230 (4)Pulse (100 µsec, 20% Duty Cycle)651800 Peak25.175.1
325Pulse (12 µsec, 10% Duty Cycle)631700 Peak22.864.9

Load Mismatch/Ruggedness

Frequency
(MHz)
Signal Type VSWR Pin
(W)
Test Voltage Result
230 (4) Pulse
(100 µsec, 20% Duty Cycle)
> 65:1 at all Phase Angles 14 W Peak
(3 dB Overdrive)
65 No Device Degradation
1. Data from 27 MHz narrowband reference circuit.
2. Data from 87.5-108 MHz broadband reference circuit.
3. The values shown are the center band performance numbers across the indicated frequency range.
4. Data from 230 MHz narrowband production test fixture.

ドキュメント

クイック・リファレンス ドキュメンテーションの種類.

5 ドキュメント

設計・リソース

デザイン・ファイル

1-5 の 19 設計・ファイル

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