1400-2200 MHz, 5 W Avg., 28 V Wideband Integrated RF LDMOS Amplifier

A2I20D040N
  • 新規採用非推奨
  • このページでは、新規設計を推奨しない製品に関する情報を掲載しています。
The A2I20D040N wideband integrated circuit is designed with on-chip matching that makes it usable from 1400 to 2200 MHz. This multi-stage structure is rated for 20 to 32 V operation and covers all typical cellular base station modulation formats.

製品画像を見る

製品詳細

セクションを選択:

Features

  • Extremely Wide RF Bandwidth
  • RF Decoupled Drain Pins Reduce Overall Board Space
  • On-Chip Matching (50 Ohm Input, DC Blocked)
  • Integrated Quiescent Current Temperature Compensation with Enable/Disable Function
  • RoHS Compliant

RF Performance Table

1800-2200 MHz

Typical Single-Carrier W-CDMA Characterization Performance: VDD = 28 Vdc, IDQ1(A+B) = 56 mA, IDQ2(A+B) = 220 mA, Pout = 5 W Avg., Input Signal PAR = 9.9 dB @ 0.01% Probability on CCDF.
Frequency Gps
(dB)		 PAE
(%)		 ACPR
(dBc)
1800 MHz32.721.8–43.6
1900 MHz32.620.7–44.5
2000 MHz32.820.1–44.8
2100 MHz32.919.9–44.9
2200 MHz33.319.7–44.5

ドキュメンテーション

クイック・リファレンス ドキュメンテーションの種類.

フィルタ

1-5 の 8 ドキュメント

全て表示

設計・リソース

セクションを選択:

設計・ファイル

フィルタ

1-5 の 7 設計・ファイル

  • シミュレーションとモデル

    RF High Power Model ADS Model Kit goto: Click the Download button to select.

    HTML改訂 1Sep 20, 2016 00:00:00785 BRF_HIGH_POWER_MODEL_ADS_KIT
    ダウンロード
  • シミュレーションとモデル

    RF High Power Model AWR Model Kit goto: Click the Download button to select.

    HTML改訂 1Sep 20, 2016 00:00:00802 BRF_HIGH_POWER_MODEL_AWR_KIT
    ダウンロード
  • シミュレーションとモデル

    A2I20D040N RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

    ZIP改訂 1Jun 17, 2019 00:00:00820.7 KBA2I20D040N_MDL_ADS
    ダウンロード
  • シミュレーションとモデル

    A2I20D040N S-Parameters

    S2P改訂 0Apr 22, 2016 00:00:0022.6 KBA2I20D040N_SP
    ダウンロード
  • シミュレーションとモデル

    A2I20D040N RF High-Power Model AWR Product Model Design Kit

    ZIP改訂 0Sep 20, 2016 00:00:002.1 MBA2I20D040N_MDL_AWR
    ダウンロード
全て表示

サポート

お困りのことは何ですか？?

  • Narrow your search
検索