2110-2170 MHz, 11.5 W Avg., 28 V, 2 x W-CDMA, Lateral N-Channel RF Power MOSFETs

The MRF6S21050LR3 and MRF6S21050LSR3 are designed for W–CDMA base station applications with frequencies from 2110 to 2170 MHz. Suitable for TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. To be used in Class AB for PCN–PCS/cellular radio and WLL applications.

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データ・シート

アプリケーション・ノート

製品詳細

Features

Typical 2–Carrier W–CDMA Performance: V_DD = 28 Volts, I_DQ = 450 mA, Pout = 11.5 Watts Avg., f = 2157 MHz, Channel Bandwidth = 3.84 MHz, PAR = 8.5 dB @ 0.01% Probability on CCDF.
Power Gain: 16 dB
Drain Efficiency: 27.7%
IM3 @ 10 MHz Offset: –37 dBc in 3.84 MHz Channel Bandwidth
ACPR @ 5 MHz Offset: –40 dBc in 3.84 MHz Channel Bandwidth
Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 28 Vdc, 2140 MHz, 50 Watts CW Output Power
Characterized with Series Equivalent Large–Signal Impedance Parameters
Internally Matched for Ease of Use
Qualified Up to a Maximum of 32 V_DD Operation
Integrated ESD Protection
Designed for Lower Memory Effects and Wide Instantaneous Bandwidth Applications
RoHS Compliant
In Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units per 32 mm, 13 inch Reel.

ドキュメント

クイック・リファレンスドキュメンテーションの種類.

4 ドキュメント

コンパクトリスト

Mounting Method with Mechanical Fasteners for the MRF19090 and Similar Packages Application Note[AN1923]

PDFApr 10, 2001改訂 0

MRF6S21050LR3, MRF6S21050LSR3 2110-2170 MHz, 11.5 W Avg., 28 V, 2 x W-CDMA Lateral N-Channel RF Power MOSFETs[MRF6S21050L]

PDFDec 29, 2008改訂 2

98ARH98301A, NI-C, 20.0x9.0x3.66, Pitch 0.6, 3 Pins[SOT1812-1]

PDFFeb 29, 2016改訂 G
98ARH98300A, 465F-01, NI-400S[98ARH98300A]

PDFJan 4, 2003改訂 E

設計・リソース

デザイン・ファイル

クイック・リファレンス設計・ファイルの種類.

5 設計・ファイル

シミュレーションとモデル
MRF6S21050L, MRF6S21050LS RF High-Power Model AWR Product Model Design Kit

ZIP改訂 1Jul 22, 2011 00:00:001.5 MBMRF6S21050L_MDL_AWR

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シミュレーションとモデル
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HTML改訂 1Sep 20, 2016 00:00:00785 BRF_HIGH_POWER_MODEL_ADS_KIT
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シミュレーションとモデル
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HTML改訂 1Sep 20, 2016 00:00:00802 BRF_HIGH_POWER_MODEL_AWR_KIT
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シミュレーションとモデル
MRF6S21050L, MRF6S21050LS RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

ZIP改訂 2Jun 17, 2019 00:00:00667.7 KBMRF6S21050L_MDL_ADS

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電卓
MRF6S21050LR3, MRF6S21050LSR3 RF Power Electromigration MTTF Calculation Program

XLS改訂 2Aug 1, 2007 00:00:0044.0 KBMRF6S21050L_MTTF_CALC

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2110-2170 MHz, 11.5 W Avg., 28 V, 2 x W-CDMA, Lateral N-Channel RF Power MOSFETs

製品詳細

Features

ドキュメント

絞り込み

アプリケーション・ノート (1)

Mounting Method with Mechanical Fasteners for the MRF19090 and Similar Packages Application Note[AN1923]

データ・シート (1)

MRF6S21050LR3, MRF6S21050LSR3 2110-2170 MHz, 11.5 W Avg., 28 V, 2 x W-CDMA Lateral N-Channel RF Power MOSFETs[MRF6S21050L]

パッケージ情報 (2)

98ARH98301A, NI-C, 20.0x9.0x3.66, Pitch 0.6, 3 Pins[SOT1812-1]

98ARH98300A, 465F-01, NI-400S[98ARH98300A]

設計・リソース

デザイン・ファイル

絞り込み

MRF6S21050L, MRF6S21050LS RF High-Power Model AWR Product Model Design Kit

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MRF6S21050L, MRF6S21050LS RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

MRF6S21050LR3, MRF6S21050LSR3 RF Power Electromigration MTTF Calculation Program

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