A3T21H456W23S|2110-2200 MHz, 87 W Avg, 30 V

The A3T21H456W23S 87 W asymmetrical Doherty RF power LDMOS transistor is designed for cellular base station applications requiring very wide instantaneous bandwidth capability covering the frequency range of 2110 to 2200 MHz.

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データ・シート

アプリケーション・ノート

製品詳細

Features

Advanced high performance in-package Doherty
Designed for wide instantaneous bandwidth applications
Greater negative gate-source voltage range for improved Class C operation
Able to withstand extremely high output VSWR and broadband operating conditions
Designed for digital predistortion error correction systems
RoHS compliant

RF Performance Table

2100 MHz

Typical Doherty Single-Carrier W-CDMA Performance: V_DD = 30 Vdc, I_DQA = 800 mA, V_GSB = 0.35 Vdc, P_out = 87 W Avg., Input Signal PAR = 9.9 dB @ 0.01% Probability on CCDF.

Frequency	G_ps (dB)	η_D (%)	Output PAR (dB)	ACPR (dBc)
2110 MHz	14.8	49.5	8.0	–30.3
2140 MHz	15.3	48.9	8.0	–31.1
2170 MHz	15.5	48.6	7.8	–31.3
2200 MHz	15.5	47.9	7.7	–32.0

購入/パラメータ

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ドキュメント

クイック・リファレンスドキュメンテーションの種類.

4 ドキュメント

コンパクトリスト

AN1908 - Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Air Cavity Packages[AN1908]

PDFFeb 24, 2011改訂 1

Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices[EB212]

PDFJan 19, 2004改訂 0

A3T21H456W23S 2110-2200 MHz, 87 W Avg, 30 V Data Sheet[A3T21H456W23S]

PDFAug 8, 2018改訂 1

98ASA00974D, ACP-1230S-4L2S[SOT1800-4]

PDFJun 21, 2017改訂 A

設計・リソース

デザイン・ファイル

クイック・リファレンス設計・ファイルの種類.

4 設計・ファイル

完全な内訳を受け取ります。 製品の設置面積などについては、 eCad ファイル.

シミュレーションとモデル
A3T21H456W23S Peaking Class C S-Parameters

S2P改訂 0May 25, 2018 00:00:00238.5 KBA3T21H456W23S-Peaking-Class-C

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シミュレーションとモデル
A3T21H456W23S Peaking Class AB S-Parameters

S2P改訂 0May 25, 2018 00:00:00238.5 KBA3T21H456W23S-Peaking-Class-AB

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シミュレーションとモデル
A3T21H456W23S Carrier S-Parameters

S2P改訂 0May 25, 2018 00:00:00238.5 KBA3T21H456W23S-Carrier

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プリント基板と回路図
A3T21H456W23S 2100 MHz PCB DXF file

ZIP改訂 1May 23, 2018 00:00:0018.6 KBA3T21H456W23S-2100-PCB

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2110-2200 MHz, 87 W Avg., 30 V Airfast® RF Power LDMOS Transistor

製品詳細

Features

RF Performance Table

2100 MHz

購入/パラメータ

ドキュメント

絞り込み

アプリケーション・ノート (1)

AN1908 - Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Air Cavity Packages[AN1908]

エンジニアリング・ブリテン (1)

Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices[EB212]

データ・シート (1)

A3T21H456W23S 2110-2200 MHz, 87 W Avg, 30 V Data Sheet[A3T21H456W23S]

パッケージ情報 (1)

98ASA00974D, ACP-1230S-4L2S[SOT1800-4]

設計・リソース

デザイン・ファイル

絞り込み

A3T21H456W23S Peaking Class C S-Parameters

A3T21H456W23S Peaking Class AB S-Parameters

A3T21H456W23S Carrier S-Parameters

A3T21H456W23S 2100 MHz PCB DXF file

絞り込み

サポート

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おすすめリンク

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