A3G18D510-04S|1805-2200 MHz, 56 W Avg, 48 V

This A3G18D510-04S 56 W symmetrical Doherty RF Power GaN transistor is designed for cellular base station applications requiring very wide instantaneous bandwidth capability covering the frequency range of 1805 to 2200 MHz.

This part is characterized and performance is guaranteed for applications operating in the 1805 to 2200 MHz band. There is no guarantee of performance when this part is used in applications designed outside of these frequencies.

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データ・シート

アプリケーション・ノート

製品詳細

Features

High terminal impedances for optimal broadband performance
Advanced high performance in-package Doherty
Improved linearized error vector magnitude with next generation signal
Able to withstand extremely high output VSWR and broadband operating conditions
RoHs compliant

RF Performance Tables

2000 MHz

Typical Doherty Single-Carrier W-CDMA Performance: V_DD= 48 Vdc, I_DQA = 250 mA, V_GSB = –5.0 Vdc, P_out = 56 W Avg., Input Signal PAR = 9.9 dB @ 0.01% Probability on CCDF.

Frequency	G_ps (dB)	η_D (%)	Output PAR (dB)	ACPR (dBc)
1805 MHz	16.0	54.3	8.0	–26.4
1995 MHz	16.8	52.2	7.8	–31.9
2170 MHz	15.4	53.9	7.6	–33.8

購入/パラメータ

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ドキュメント

クイック・リファレンスドキュメンテーションの種類

3 ドキュメント

コンパクトリスト

AN1908 - Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Air Cavity Packages[AN1908]

PDFFeb 24, 2011改訂 1

A3G18D510-04S 1805-2200 MHz, 56 W Avg, 48 V Data Sheet[A3G18D510-04S]

PDFAug 16, 2020改訂 0

NI-780S-4L[98ASA10718D]

PDFAug 15, 2016改訂 C

設計・リソース

デザイン・ファイル

クイック・リファレンス設計・ファイルの種類.

3 設計・ファイル

完全な内訳を受け取ります。 製品の設置面積などについては、 eCad ファイル.

シミュレーションとモデル
A3G18D510-04S Carrier Class AB S-Parameters

S2P改訂 0Aug 16, 2020 17:23:0050.0 KBA3G18D51004S-Carrier-Class-AB

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シミュレーションとモデル
A3G18D510-04S Carrier Class C S-Parameters

S2P改訂 0Aug 16, 2020 17:25:0050.1 KBA3G18D51004S-Carrier-Class-C

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プリント基板と回路図
A3G18D510-04S 2000 MHz PCB DXF file

ZIP改訂 3Aug 16, 2020 00:00:0044.8 KBA3G18D510-04S-2000-PCB

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1805-2200 MHz, 56 W Avg., 48 V Airfast® RF Power LDMOS Transistor

製品詳細

Features

RF Performance Tables

2000 MHz

購入/パラメータ

ドキュメント

絞り込み

アプリケーション・ノート (1)

AN1908 - Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Air Cavity Packages[AN1908]

データ・シート (1)

A3G18D510-04S 1805-2200 MHz, 56 W Avg, 48 V Data Sheet[A3G18D510-04S]

パッケージ情報 (1)

NI-780S-4L[98ASA10718D]

設計・リソース

デザイン・ファイル

絞り込み

A3G18D510-04S Carrier Class AB S-Parameters

A3G18D510-04S Carrier Class C S-Parameters

A3G18D510-04S 2000 MHz PCB DXF file

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1805-2200 MHz, 56 W Avg., 48 V Airfast^® RF Power LDMOS Transistor