NPN Wideband Silicon RF Transistor

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製品詳細

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Features

  • Medium power, high linearity, high breakdown voltage RF transistor
  • AEC-Q101 qualified
  • Maximum stable gain 11 dB at 900 MHz
  • PL(1dB) 22 dBm at 900 MHz
  • 8 GHz fT silicon technology
  • Automotive applications
  • Broadband amplifiers
  • Medium power amplifiers (500 mW at a frequency of 433 MHz or 866 MHz)
  • Large signal amplifiers for ISM applications

ドキュメンテーション

クイック・リファレンス ドキュメンテーションの種類.

1-5 の 7 ドキュメント

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設計・リソース

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設計・ファイル

4 設計・ファイル

  • シミュレーションとモデル

    BFU590Q: S-parameters 40 MHz - 6 GHz

  • シミュレーションとモデル

    BFU5xx family SPICE GP model v2

  • Design Tool

    BFU5XX family ADS design kit v2

  • Design Tool

    Installation manual for NXP® BFU5XX family ADS_design kit v2

サポート

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