NPN Wideband Silicon RF Transistor

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製品詳細

Features

  • Low noise, high breakdown RF transistor
  • AEC-Q101 qualified
  • Minimum noise figure (NFmin) = 0.7 dB at 900 MHz
  • Maximum stable gain 21 dB at 900 MHz
  • 11 GHz fT silicon technology

Target Applications

  • Applications requiring high supply voltages and high breakdown voltages
  • Broadband amplifiers up to 2 GHz
  • Low noise amplifiers for ISM applications
  • ISM band oscillators

部品番号: BFU550.

ドキュメント

クイック・リファレンス ドキュメンテーションの種類.

1-5 の 9 ドキュメント

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デザイン・ファイル

5 設計・ファイル

ハードウェア

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