NPN 2 GHz wideband transistor

It is primarily intended for use in RF low power amplifiers, such as in pocket phones, paging systems, etc. The transistor features low current consumption (100 μA to 1mA); due to its high transition frequency, it also has excellent wideband properties and low noise up to high frequencies.

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製品詳細

Features

High transition frequency
Low noise

Target Applications

Low power RF amplifiers
Paging systems
Pocket phones

ドキュメント

クイック・リファレンスドキュメンテーションの種類.

2 ドキュメント

^{パッケージ情報}
plastic, surface-mounted package; 3 terminals; 1.9 mm pitch; 2.9 mm x 1.3 mm x 1 mm body

PDF改訂 1.1Jan 9, 2017200.2 KBSOT23English
^{サポート情報}
Reflow Soldering Profile

PDF改訂 1.0Feb 17, 201434.6 KBREFLOW_SOLDERING_PROFILEEnglish

設計・リソース

デザイン・ファイル

5 設計・ファイル

^{シミュレーションとモデル}
BFT25C SPICE model

S2P改訂 1.3Jul 22, 2012 00:00:002.0 KBBFT25C
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^{シミュレーションとモデル}
BFT25D SPICE model

S2P改訂 1.3Jul 22, 2012 00:00:002.0 KBBFT25D
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^{シミュレーションとモデル}
BFT25B SPICE model

S2P改訂 1.3Jul 22, 2012 00:00:002.0 KBBFT25B
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^{シミュレーションとモデル}
BFT25A SPICE model

S2P改訂 1.3Jul 22, 2012 00:00:002.0 KBBFT25A_1
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^{シミュレーションとモデル}
S-parameters BFT25

ZIP改訂 1.0Apr 23, 2019 00:00:008.2 KBSPAR_BFT25
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NPN 2 GHz wideband transistor

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