NPN Wideband Silicon RF Transistor

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製品詳細

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Features

  • Low noise, high breakdown RF transistor
  • AEC-Q101 qualified
  • Minimum noise figure (NFmin) = 0.6 dB at 900 MHz
  • Maximum stable gain 18.5 dB at 900 MHz
  • 11 GHz fT silicon technology

Target Applications

  • Applications requiring high supply voltages and high breakdown voltages
  • Broadband amplifiers up to 2 GHz
  • Low noise amplifiers for ISM applications
  • ISM band oscillators

ドキュメンテーション

クイック・リファレンス ドキュメンテーションの種類.

1-5 の 9 ドキュメント

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設計・リソース

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設計・ファイル

5 設計・ファイル

  • シミュレーションとモデル

    BFU530W: S-parameters and Noise Figure 400 MHz - 2 GHz

  • シミュレーションとモデル

    BFU530W: S-parameters 40 MHz - 6 GHz

  • シミュレーションとモデル

    BFU5xx family SPICE GP model v2

  • Design Tool

    BFU5XX family ADS design kit v2

  • Design Tool

    Installation manual for NXP® BFU5XX family ADS_design kit v2

サポート

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