A3G26H501W17S|2496-2690 MHz, 56 W Avg, 48 V

The A3G26H501W17S 56 W asymmetrical Doherty RF power GaN transistor is designed for cellular base station applications requiring very wide instantaneous bandwidth capability covering the frequency range of 2496 to 2690 MHz.

This part is characterized and performance is guaranteed for applications operating in the 2496 to 2690 MHz band. There is no guarantee of performance when this part is used in applications designed outside of these frequencies.

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データ・シート

アプリケーション・ノート

製品詳細

Features

High terminal impedances for optimal broadband performance
Advanced high performance in-package Doherty
Improved linearized error vector magnitude with next generation signal
Able to withstand extremely high output VSWR and broadband operating conditions
RoHS compliant

RF Performance Table

2600 MHz

Typical Doherty Single-Carrier W-CDMA Characterization Performance: V_DD = 48 Vdc, I_DQA = 350 mA, V_GSB = –5.0 Vdc, P_out = 56 W Avg., Input Signal PAR = 9.9 dB @ 0.01% Probability on CCDF.⁽¹⁾

Frequency	G_ps (dB)	η_D (%)	P3dB (dBm)⁽²⁾	ACPR (dBc)
2496 MHz	14.0	46.3	56.6	–35.4
2590 MHz	14.5	45.1	57.1	–36.6
2690 MHz	14.4	47.4	56.0	–33.2

1. All data measured in fixture with device soldered to heatsink.
2. Data measured at pulsed CW, 10 µsec(on), 10% duty cycle.

購入/パラメータ

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ドキュメント

クイック・リファレンスドキュメンテーションの種類.

3 ドキュメント

コンパクトリスト

AN1908 - Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Air Cavity Packages[AN1908]

PDFFeb 24, 2011改訂 1

Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices[EB212]

PDFJan 19, 2004改訂 0

A3G26H501W17S 2496-2690 MHz, 56 W Avg, 48 V Data Sheet[A3G26H501W17S]

PDFJan 3, 2020改訂 2

設計・リソース

デザイン・ファイル

クイック・リファレンス設計・ファイルの種類.

4 設計・ファイル

完全な内訳を受け取ります。 製品の設置面積などについては、 eCad ファイル.

シミュレーションとモデル
A3G26H501W17S Carrier S-Parameters

S2P改訂 0Jun 24, 2019 00:00:0095.4 KBA3G26H501W17S-CARRIER

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シミュレーションとモデル
A3G26H501W17S Peaking Class AB S-Parameters

S2P改訂 0Jun 24, 2019 00:00:0095.3 KBA3G26H501W17S-PEAKING-CLASS-AB

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シミュレーションとモデル
A3G26H501W17S Peaking Class C S-Parameters

S2P改訂 0Jun 24, 2019 00:00:0095.4 KBA3G26H501W17S-PEAKING-CLASS-C

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プリント基板と回路図
A3G26H501W17S 2600 MHz PCB DXF file

ZIP改訂 1Jun 24, 2019 00:00:0063.6 KBA3G26H501W17S-2600-PCB

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A3G26H501W17S 2496-2690 MHz, 56 W Avg., 48 V Airfast® RF Power GaN Transistor

製品詳細

Features

RF Performance Table

2600 MHz

購入/パラメータ

ドキュメント

絞り込み

アプリケーション・ノート (1)

AN1908 - Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Air Cavity Packages[AN1908]

エンジニアリング・ブリテン (1)

Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices[EB212]

データ・シート (1)

A3G26H501W17S 2496-2690 MHz, 56 W Avg, 48 V Data Sheet[A3G26H501W17S]

設計・リソース

デザイン・ファイル

絞り込み

A3G26H501W17S Carrier S-Parameters

A3G26H501W17S Peaking Class AB S-Parameters

A3G26H501W17S Peaking Class C S-Parameters

A3G26H501W17S 2600 MHz PCB DXF file

絞り込み

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A3G26H501W17S 2496-2690 MHz, 56 W Avg., 48 V Airfast^® RF Power GaN Transistor