A3G23H500W17S 2300-2400 MHz, 80 W Avg, 48 V

The A3G23H500W17S 80 W asymmetrical Doherty RF power GaN transistor is designed for cellular base station applications requiring very wide instantaneous bandwidth capability covering the frequency range of 2300 to 2400 MHz.

This part is characterized and performance is guaranteed for applications operating in the 2300 to 2400 MHz band. There is no guarantee of performance when this part is used in applications designed outside of these frequencies.

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データ・シート

アプリケーション・ノート

製品詳細

Features

High terminal impedances for optimal broadband performance
Advanced high performance in-package Doherty
Improved linearized error vector magnitude with next generation signal
Able to withstand extremely high output VSWR and broadband operating conditions
RoHS compliant

RF Performance Table

2300 MHz

Typical Doherty Single-Carrier W-CDMA Performance: V_DD = 48 Vdc, I_DQA = 300 mA, V_GSB = -5.0 Vdc, P_out = 80 W Avg., Input Signal PAR = 9.9 dB @ 0.01% Probability on CCDF.

Frequency	G_ps (dB)	η_D (%)	Output PAR (dB)	ACPR (dBc)
2300 MHz	14.5	53.7	8.4	-30.5
2350 MHz	14.6	52.8	8.3	-30.6
2400 MHz	14.2	53.2	8.1	-31.9

購入/パラメータ

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ドキュメント

クイック・リファレンスドキュメンテーションの種類.

3 ドキュメント

コンパクトリスト

Thermal Characterization Methodology of RF Power Amplifiers - Application Note[AN1955]

PDFJul 11, 2024改訂 2
AN1908 - Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Air Cavity Packages[AN1908]

PDFFeb 24, 2011改訂 1

A3G23H500W17S 2300-2400 MHz, 80 W Avg, 48 V Data Sheet[A3G23H500W17S]

PDFMay 3, 2021改訂 1

設計・リソース

デザイン・ファイル

クイック・リファレンス設計・ファイルの種類.

5 設計・ファイル

完全な内訳を受け取ります。 製品の設置面積などについては、 eCad ファイル.

シミュレーションとモデル
A3G23H500W17S Carrier Class AB S-Parameters

S2P改訂 0Apr 23, 2021 12:07:0026.1 KBA3G23H500W17S-Carrier-Class-AB

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シミュレーションとモデル
A3G23H500W17S Peaking Class AB S-Parameters

S2P改訂 0Apr 23, 2021 12:07:0026.1 KBA3G23H500W17S-Peaking-Class-AB

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シミュレーションとモデル
A3G23H500W17S Peaking Class C S-Parameters

S2P改訂 0Apr 23, 2021 12:07:0026.1 KBA3G23H500W17S-Peaking-Class-C

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プリント基板と回路図
A3G23H500W17S 2600 MHz PCB DXF file

ZIP改訂 1Apr 23, 2021 11:44:0026.4 KBA3G23H500W17S-2300-PCB

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Design Tool
A3G23H500W17S 2300-2400 MHz Design Files

ZIP改訂 0Nov 18, 2021 16:00:00668.7 KBA3G23H500W17S-2300-2400-MHZ

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2300-2400 MHz, 80 W Avg., 48 V Airfast® RF Power GaN Transistor

製品詳細

Features

RF Performance Table

2300 MHz

購入/パラメータ

ドキュメント

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アプリケーション・ノート (2)

Thermal Characterization Methodology of RF Power Amplifiers - Application Note[AN1955]

AN1908 - Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Air Cavity Packages[AN1908]

データ・シート (1)

A3G23H500W17S 2300-2400 MHz, 80 W Avg, 48 V Data Sheet[A3G23H500W17S]

設計・リソース

デザイン・ファイル

絞り込み

A3G23H500W17S Carrier Class AB S-Parameters

A3G23H500W17S Peaking Class AB S-Parameters

A3G23H500W17S Peaking Class C S-Parameters

A3G23H500W17S 2600 MHz PCB DXF file

A3G23H500W17S 2300-2400 MHz Design Files

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おすすめリンク

2300-2400 MHz, 80 W Avg., 48 V Airfast^® RF Power GaN Transistor