イネーブル付き高速USB 2.0スイッチ

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ブロック図

NX3DV221ブロック図

NX3DV221 Block Diagram

特長

主な特長

  • 2.3 V~3.6 Vの広い電源電圧範囲
  • スイッチ電圧は最大5.5 Vの信号に対応
  • 1.8 Vの制御ロジック(VCC = 3.6 V時)
  • OE = HIGH時の低消費電力モード(最大2 µA)
  • オン抵抗:6 Ω(最大)
  • チャネル間のオン抵抗ミスマッチ:0.1 Ω(標準)
  • オン容量:6 pF(標準)
  • 高帯域幅(標準1.0 GHz)
  • JESD 78BクラスIIレベルAに準拠した100 mAを超えるラッチアップ性能

ESD保護

  • 8000 Vを超えるHBM JESD22-A114Fクラス3A
  • 1000 Vを超えるCDM JESD22-C101E
  • HBMで12000 Vを超えるI/O-GND間保護
  • -40°C~+85°Cで仕様を規定

長期製品供給プログラム

  • この製品は、お客様の組込み設計に使用される製品の安定供給を保証するNXP長期製品供給プログラムの対象となっています。NX3DV221GMは15年間のプログラムの対象です

部品番号: NX3DV221GM, NX3DV221TK.

購入/パラメータ










































































































ドキュメント

クイック・リファレンス ドキュメンテーションの種類.

4 ドキュメント

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サポート

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