MOS Model 20は、従来型のコンパクトLDMOSモデルです。チャネル領域のMOSFET動作と、薄いゲート酸化膜下のドリフト領域のMOSFET動作を組み合わせています。つまり、MOS Model 20はMOS Model 31とつながるMOS Model 9の後継、またはMOS Model 31とつながるMOS Model 11の後継となることを目的としています。MOS Model 20ではシミュレーション時のコンバージェンス動作を改善するために、チャネル領域からドリフト領域への遷移時の電圧をモデル内部で算出します。SiMKit 3.8以降ではNXP^®社内で新しいモデルが構築されたため、このモデルは廃止されています。

このモデルはSiMKitと呼ばれる動的にロードされるライブラリに含まれています（SiMKit 3.8まで）。SiMKitは、NXP社内で使用される以下の回路シミュレータに関連しています。

Pstar（NXPの回路シミュレータ）
Spectre（Cadenceの回路シミュレータ）
ADS（Agilentの回路シミュレータ）

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8 ドキュメント

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Compact Modeling of High-Voltage LDMOS Devices Including Quasi-Saturation[01610925]

PDFOct 30, 2015改訂 1
Capacitance modeling of laterally non-uniform MOS devices - Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International[01419281]

PDFOct 30, 2015改訂 1
MOS model 20, level 2001[M2001]

PDFOct 30, 2015改訂 1
MOS Model 20 Level 2001[PRTN2003_00301]

PDFOct 30, 2015改訂 1
MOS model 20, level 2002[M2002]

PDFOct 30, 2015改訂 1
New Fundamental Insights Into Capacitance Modeling of Laterally Nonuniform MOS Devices[01580864]

PDFOct 30, 2015改訂 1
A Surface-Potential-Based High-Voltage Compact LDMOS Transistor Model[01424392]

PDFOct 30, 2015改訂 1
MOS Model 20 Level 2002.2[PRTN2005_00406]

PDFOct 30, 2015改訂 1

Model 20

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サポート情報 (8)

Compact Modeling of High-Voltage LDMOS Devices Including Quasi-Saturation[01610925]

Capacitance modeling of laterally non-uniform MOS devices - Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International[01419281]

MOS model 20, level 2001[M2001]

MOS Model 20 Level 2001[PRTN2003_00301]

MOS model 20, level 2002[M2002]

New Fundamental Insights Into Capacitance Modeling of Laterally Nonuniform MOS Devices[01580864]

A Surface-Potential-Based High-Voltage Compact LDMOS Transistor Model[01424392]

MOS Model 20 Level 2002.2[PRTN2005_00406]

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