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Mextramモデルは、最新のSiGeプロセスや堅牢なHVプロセスを含む、あらゆる種類のプロセスにおける垂直バイポーラ・トランジスタを正確に記述するものです。速度飽和、ベース領域拡張、カーク効果、衝突電離などの効果が生じるバイポーラ・トランジスタの低ドープのコレクタ・エピ層を非常に効率的にモデリングするために役立ちます。ベースにゲルマニウムが含まれていることによる効果もモデリングされています。さらに、基板電流やキャパシタンスなど、トランジスタの外部領域の詳細な記述が含まれています。Mextramは、温度スケーリングを定式化しているため、ジオメトリに応じて簡単にスケーリングできます。レベル504のMextramは、回路シミュレータで自己発熱を処理せずに、完全な自己発熱機能を備えています。自己加熱機能はソース・コードに完全に実装されています。
このモデルはSiMKitと呼ばれる動的にロードされるライブラリに含まれています。SiMKitは、NXP®社内で使用される以下の回路シミュレータに関連しています。
ライブラリのダウンロード方法とインストール方法については、こちらをご覧ください。
Mextramの詳細については、こちらをクリックしてください
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