2110-2170 MHz, 23 W Avg., 28 V, 2 x W-CDMA Lateral N-Channel RF Power MOSFETs

MRF6S21100H
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The MRF6S21100HR3 and MRF6S21100HSR3 are designed for W–CDMA base station applications with frequencies from 2110 to 2170 MHz. Suitable for TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. To be used in Class AB for PCN–PCS/cellular radio, WLL and TD–SCDMA applications.

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製品詳細

Features

  • Typical 2–Carrier W–CDMA Performance for VDD = 28 Volts, IDQ = 950 mA, Pout = 23 Watts Avg., Full Frequency Band, Channel Bandwidth = 3.84 MHz, PAR = 8.5 dB @ 0.01% Probability on CCDF.
    Power Gain: 15.9 dB
    Drain Efficiency: 27.6%
    IM3 @ 10 MHz Offset: –37 dBc in 3.84 MHz Channel Bandwidth
    ACPR @ 5 MHz Offset: –39.5 dBc in 3.84 MHz Channel Bandwidth
  • Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 28 Vdc, 2140 MHz, 100 Watts CW Output Power
  • Characterized with Series Equivalent Large–Signal Impedance Parameters
  • Internally Matched for Ease of Use
  • Qualified Up to a Maximum of 32 VDD Operation
  • Integrated ESD Protection
  • Designed for Lower Memory Effects and Wide Instantaneous Bandwidth Applications
  • RoHS Compliant
  • In Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units per 56 mm, 13 inch Reel.

ドキュメント

クイック・リファレンス ドキュメンテーションの種類.

フィルタ

3 ドキュメント

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フィルタ

4 設計・ファイル

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