デザイン・ファイル
3 設計・ファイル
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シミュレーションとモデル
A3T21H455W23S Carrier S-Parameters
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シミュレーションとモデル
A3T21H455W23S Peaking Class C S-Parameters
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シミュレーションとモデル
A3T21H455W23S Peaking Class AB S-Parameters
2110-2200 MHz, 87 W Avg., 30 V Airfast® RF Power LDMOS Transistor
A3T21H455W23S アラートの受信
The A3T21H455W23S 87 W asymmetrical Doherty RF power LDMOS transistor is designed for cellular base station applications requiring very wide instantaneous bandwidth capability covering the frequency range of 2110 to 2200 MHz.
ACP-1230S-4L2S Package Image
製品詳細
Features
- Advanced high performance in-package Doherty
- Designed for wide instantaneous bandwidth applications
- Greater negative gate-source voltage range for improved Class C operation
- Able to withstand extremely high output VSWR and broadband operating conditions
- Designed for digital predistortion error correction systems
- RoHS compliant
部品番号： A3T21H455W23S.
RF Performance Table
2100 MHz
Typical Doherty Single-Carrier W-CDMA Performance: VDD = 30 Vdc, IDQA = 400 mA, VGSB = 0.55 Vdc, Pout = 87 W Avg., Input Signal PAR = 9.9 dB @ 0.01% Probability on CCDF.| Frequency | Gps (dB) |
ηD (%) |
Output PAR (dB) |
ACPR (dBc) |
| 2110 MHz | 15.2 | 47.8 | 8.1 | –31.4 |
| 2140 MHz | 15.5 | 47.9 | 7.8 | –31.2 |
| 2170 MHz | 15.4 | 48.8 | 7.7 | –30.7 |
| 2200 MHz | 15.0 | 49.4 | 7.6 | –30.8 |
ドキュメント
クイック・リファレンス ドキュメンテーションの種類.
4 ドキュメント
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エンジニアリング・ブリテン
Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices
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パッケージ情報
98ASA00974D, ACP-1230S-4L2S