1805-1880 MHz, 71 W Avg., 28 V Airfast® RF Power LDMOS Transistor

A3T18H400W23S
The A3T18H400W23S 71 W asymmetrical Doherty RF power LDMOS transistor is designed for cellular base station applications requiring very wide instantaneous bandwidth capability covering the frequency range of 1805 to 1880 MHz.

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製品詳細

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Features

  • Advanced high performance in-package Doherty
  • Designed for wide instantaneous bandwidth applications
  • Greater negative gate-source voltage range for improved Class C operation
  • Able to withstand extremely high output VSWR and broadband operating conditions
  • Designed for digital predistortion error correction systems
  • RoHS compliant

RF Performance Table

1800 MHz

Typical Doherty Single-Carrier W-CDMA Performance: VDD = 28 Vdc, IDQA = 300 mA, VGSB = 0.7 Vdc, Pout = 71 W Avg., Input Signal PAR = 9.9 dB @ 0.01% Probability on CCDF.
Frequency Gps
(dB)		 ηD
(%)		 Output PAR
(dB)		 ACPR
(dBc)
1805 MHz17.053.27.8–31.0
1840 MHz17.153.47.6–31.6
1880 MHz16.852.87.4–32.5

ドキュメンテーション

クイック・リファレンス ドキュメンテーションの種類.

フィルタ

5 ドキュメント

設計・リソース

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設計・ファイル

フィルタ

4 設計・ファイル

  • シミュレーションとモデル

    A3T18H400W23S S-Parameters Peaking Class C

    S2P改訂 0Oct 26, 2017 00:00:0054.8 KBA3T18H400W23S-Peaking-Class-C
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  • シミュレーションとモデル

    A3T18H400W23S S-Parameters Carrier

    S2P改訂 0Oct 26, 2017 00:00:0054.8 KBA3T18H400W23S-Carrier
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  • シミュレーションとモデル

    A3T18H400W23S S-Parameters Peaking Class AB

    S2P改訂 0Oct 26, 2017 00:00:0054.8 KBA3T18H400W23S-Peaking-Class-AB
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  • プリント基板と回路図

    A3T18H400W23S PCB DXF file

    ZIP改訂 4Oct 26, 2017 00:00:0016.2 KBA3T18H455W23S-PCB
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