1805-1880 MHz, 50 W Avg., 28 V Single W-CDMA Lateral N-Channel RF Power MOSFETs

The MRF7S18170HR3 and MRF7S18170HSR3 are designed for CDMA base station applications with frequencies from 1805 to 1880 MHz. Suitable for CDMA and multicarrier amplifier applications. To be used in Class AB and Class C for PCN-PCS/cellular radio and WLL applications.

製品画像を見る

データシート

製品詳細

Features

Typical Single–Carrier W–CDMA Performance: V_DD = 28 Volts, I_DQ = 1400 mA, Pout = 50 Watts Avg., Full Frequency Band, 3GPP Test Model 1, 64 DPCH with 50% Clipping, Channel Bandwidth = 3.84 MHz, Input Signal PAR = 7.5 dB @ 0.01% Probability on CCDF.

Power Gain: 17.5 dB

Drain Efficiency: 31%

Device Output Signal PAR: 6.2 dB @ 0.01% Probability on CCDF

ACPR @ 5 MHz Offset: –37 dBc in 3.84 MHz Channel Bandwidth
Capable of Handling 5:1 VSWR, @ 32 Vdc, 1840 MHz, 170 Watts CW Peak Tuned Output Power
Pout @ 1 dB Compression Point ≥ 170 Watts CW
100% PAR Tested for Guaranteed Output Power Capability
Characterized with Series Equivalent Large–Signal Impedance Parameters
Internally Matched for Ease of Use
Integrated ESD Protection
Greater Negative Gate-Source Voltage Range for Improved Class C Operation
Designed for Digital Predistortion Error Correction Systems
RoHS Compliant
In Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units per 56 mm, 13 inch Reel

ドキュメント

クイック・リファレンスドキュメンテーションの種類.

3 ドキュメント

^{データ・シート}
MRF7S18170HR3, MRF7S18170HSR3 1805-1880 MHz, 50 W Avg., 28 V Single W-CDMA Lateral N-Channel RF Power MOSFETs

PDF改訂 2Mar 31, 2011956.8 KBMRF7S18170H
^{パッケージ情報}
98ARB18660C, NI-C, 0.9x0.54x0.2, Pitch 1.4, 2 Pins

PDF改訂 FMar 1, 201641.4 KBSOT1789-1
^{パッケージ情報}
98ARB18493C, NI-C, 1.34x0.54x0.2, Pitch 1.44, 3 Pins

PDF改訂 GFeb 4, 201647.3 KBSOT1788-1

設計・リソース

デザイン・ファイル

クイック・リファレンス設計・ファイルの種類.

5 設計・ファイル

^{シミュレーションとモデル}
RF High Power Model ADS Model Kit goto: Click the Download button to select.

HTML改訂 1Sep 20, 2016 00:00:00785 BRF_HIGH_POWER_MODEL_ADS_KIT
ダウンロードToggle Dropdown
- キューに追加
- キューから削除
- ファイルサイズが大きい場合にお勧めします。
- キューを表示
^{シミュレーションとモデル}
RF High Power Model AWR Model Kit goto: Click the Download button to select.

HTML改訂 1Sep 20, 2016 00:00:00802 BRF_HIGH_POWER_MODEL_AWR_KIT
ダウンロードToggle Dropdown
- キューに追加
- キューから削除
- ファイルサイズが大きい場合にお勧めします。
- キューを表示
^{シミュレーションとモデル}
MRF7S18170H, MRF7S18170HS RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

ZIP改訂 2Jun 17, 2019 00:00:00158.7 KBMRF7S18170H_MDL_ADS
ダウンロードToggle Dropdown
- キューに追加
- キューから削除
- ファイルサイズが大きい場合にお勧めします。
- キューを表示
^{シミュレーションとモデル}
MRF7S18170H, MRF7S18170HS RF High-Power Model AWR Product Model Design Kit

ZIP改訂 0Jul 22, 2011 00:00:00134.4 KBMRF7S18170H_MDL_AWR
ダウンロードToggle Dropdown
- キューに追加
- キューから削除
- ファイルサイズが大きい場合にお勧めします。
- キューを表示
^電卓
MRF7S18170HR3, MRF7S18170HSR3 RF Power Electromigration MTTF Calculation Program

XLS改訂 1Aug 1, 2007 00:00:0044.0 KBMRF7S18170H_MTTF_CALC
サインインが必要です
ダウンロードToggle Dropdown
- キューに追加
- キューから削除
- ファイルサイズが大きい場合にお勧めします。
- キューを表示

1805-1880 MHz, 50 W Avg., 28 V Single W-CDMA Lateral N-Channel RF Power MOSFETs

製品詳細

Features

ドキュメント

絞り込み

設計・リソース

デザイン・ファイル

絞り込み

RF High Power Model ADS Model Kit goto: Click the Download button to select.

RF High Power Model AWR Model Kit goto: Click the Download button to select.

MRF7S18170H, MRF7S18170HS RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

MRF7S18170H, MRF7S18170HS RF High-Power Model AWR Product Model Design Kit

MRF7S18170HR3, MRF7S18170HSR3 RF Power Electromigration MTTF Calculation Program

絞り込み

サポート

お困りのことは何ですか？?

おすすめリンク