A5G26H110N | 2496～2690 MHz、15 W平均、48 V

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この15 W非対称ドハティRFパワーGaNアンプは、2496～2690 MHzの周波数範囲を対象とし、非常に広い瞬時帯域幅が要求されるセルラー基地局アプリケーション向けに設計されています。

2496～2690 MHz帯域で動作するアプリケーションに対して特性が規定され、性能が保証されています。それ以外の周波数向けのアプリケーションでは性能は保証されません。

製品詳細

部品番号： A5G26H110N, A5G26H110N-2496.

ドハティ・シングルキャリアW-CDMAリファレンス回路での標準性能：V_DD = 48 Vdc、I_DQA = 46 mA、V_GSB = -4.45 Vdc、P_out= 15 W（平均）、入力信号PAR = 9.9 dB（CCDFで0.01%の確率）⁽¹⁾

1. デバイスをプリント基板 (PCB) にはんだ付けしたリファレンス回路での計測データです。

3 ドキュメント

^{データ・シート}
A5G26H110N 2496–2690 MHz, 15 W Avg, 48 V Data Sheet

PDF改訂 3Oct 18, 2023417.7 KBA5G26H110NEnglish
^{アプリケーション・ノート}
AN1907 Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Over-Molded Plastic Packages

PDF改訂 3May 13, 2009910.7 KBAN1907English
^{ファクト・シート}
GaN Discrete mMIMO Solutions for 5G Telecom Infrastructure ─ Fact Sheet

PDF改訂 0Mar 24, 20221.1 MBDMS5G3264FSEnglish

3 設計・ファイル