2496~2690 MHz、35 dB、8.9 W(平均)オートバイアス制御付きAirfast®パワー・アンプ・モジュール

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製品詳細

特長

  • ドライバとしてのLDMOS集積回路とGaN最終段アンプを組み合わせた2段モジュール・ソリューション
  • 先進の高性能インパッケージ・ドハティ
  • 完全整合(50 Ω入出力、DCブロック)
  • 複雑性の低いデジタル線形化システム向けに設計
  • メモリ効果を低減し、線形化誤差ベクトルの大きさを改善
  • 電源オン時のオートバイアス
  • 温度センシング
  • デジタル・インターフェース(I²CまたはSPI)
  • バイアス条件設定用の組込みレジスタとDAC
  • TDD動作用のTxイネーブル制御ピン

RF性能表

2496~2690 MHz

標準LTE性能:Pout = 8.9 W平均、VDC1 = VDP1 = 5 Vdc、VDC2 = VDP2 = 48 Vdc、1 × 20 MHz LTE、入力信号PAR = 8 dB(CCDFの確率0.01%時)。(1)

搬送波中心周波数 利得 (dB) ACPR (dBc) PAE (%)
2506 MHz 34.6 -32.2 46.5
2600 MHz 35.2 -32.6 47.7
2680 MHz 35.5 -29.7 47.0

購入/パラメータ










































































































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