2300~2400 MHz、13.8 W平均、48 V Airfast® RFパワーGaNアンプ

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製品詳細

特長

  • 高い端子インピーダンスによる最適な広帯域性能
  • 次世代信号により、線形化誤差ベクトルの大きさを改善
  • 非常に高い出力VSWRおよび広帯域の動作条件に対応
  • 複雑性の低い線形化システム向けに設計
  • 5G基地局用のマッシブMIMOアクティブ・アンテナ・システム向けに最適化
  • RoHS準拠

RF性能表

2300 MHz

ドハティ・シングルキャリアW-CDMAリファレンス回路での標準性能:VDD = 48 Vdc、IDQA = 50 mA、VGSB = -4.7 Vdc、Pout= 13.8 W(平均)、入力信号PAR = 9.9 dB(CCDFで0.01%の確率)(1)
周波数 Gps
(dB)
ηD
(%)
出力PAR
(dB)
ACPR
(dBc)
2300 MHz16.356.68.5-29.1
2350 MHz16.156.58.6-30.8
2400 MHz16.256.38.8-32.4
1. デバイスをプリント基板 (PCB) にはんだ付けしたリファレンス回路での計測データです。

購入/パラメータ










































































































N true 0 PSPA5G23H110Nja 3 アプリケーション・ノート Application Note t789 2 データ・シート Data Sheet t520 1 ja ja ja データ・シート Data Sheet 1 1 2 English A5G23H110N 2300–2400 MHz, 13.8 W Avg, 48 V Airfast<sup>&reg;</sup> RF power GaN amplifier for cellular base stations 1664824154653697403903 PSP 417.9 KB None None documents None 1664824154653697403903 /docs/en/data-sheet/A5G23H110N.pdf 417943 /docs/en/data-sheet/A5G23H110N.pdf A5G23H110N documents N N 2022-10-03 A5G23H110N 2300–2400 MHz, 13.8 W Avg, 48 V Data Sheet /docs/en/data-sheet/A5G23H110N.pdf /docs/en/data-sheet/A5G23H110N.pdf Data Sheet N 980000996212993340 2024-01-17 pdf N en Oct 18, 2023 980000996212993340 Data Sheet Y N A5G23H110N 2300–2400 MHz, 13.8 W Avg, 48 V Data Sheet アプリケーション・ノート Application Note 2 2 2 English This document explains the methodology used by NXP for thermal characterization of RF high power amplifier products, which include LDMOS and GaN active devices. 1075398872032723970051 PSP 235.5 KB None None documents None 1075398872032723970051 /docs/en/application-note/AN1955.pdf 235468 /docs/en/application-note/AN1955.pdf AN1955 documents N N 2016-11-09 Thermal Characterization Methodology of RF Power Amplifiers - Application Note /docs/en/application-note/AN1955.pdf /docs/en/application-note/AN1955.pdf Application Note N 645036621402383989 2025-01-28 pdf N en Jul 11, 2024 645036621402383989 Application Note Y N Thermal Characterization Methodology of RF Power Amplifiers - Application Note 3 3 English I989356375600 PSP 910.7 KB None None documents None I989356375600 /docs/en/application-note/AN1907.pdf 910737 /docs/en/application-note/AN1907.pdf AN1907 documents N N 2016-11-09 AN1907 Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Over-Molded Plastic Packages /docs/en/application-note/AN1907.pdf /docs/en/application-note/AN1907.pdf Application Note N 645036621402383989 2025-01-28 pdf N en May 13, 2009 645036621402383989 Application Note Y N AN1907 Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Over-Molded Plastic Packages false 0 A5G23H110N downloads ja true 1 Y PSP Y Y アプリケーション・ノート 2 /docs/en/application-note/AN1955.pdf 2016-11-09 1075398872032723970051 PSP 2 Jul 11, 2024 Application Note This document explains the methodology used by NXP for thermal characterization of RF high power amplifier products, which include LDMOS and GaN active devices. None /docs/en/application-note/AN1955.pdf English documents 235468 None 645036621402383989 2025-01-28 N /docs/en/application-note/AN1955.pdf Thermal Characterization Methodology of RF Power Amplifiers - Application Note /docs/en/application-note/AN1955.pdf documents 645036621402383989 Application Note N en None Y pdf 2 N N Thermal Characterization Methodology of RF Power Amplifiers - Application Note 235.5 KB AN1955 N 1075398872032723970051 /docs/en/application-note/AN1907.pdf 2016-11-09 I989356375600 PSP 3 May 13, 2009 Application Note None /docs/en/application-note/AN1907.pdf English documents 910737 None 645036621402383989 2025-01-28 N /docs/en/application-note/AN1907.pdf AN1907 Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Over-Molded Plastic Packages /docs/en/application-note/AN1907.pdf documents 645036621402383989 Application Note N en None Y pdf 3 N N AN1907 Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Over-Molded Plastic Packages 910.7 KB AN1907 N I989356375600 データ・シート 1 /docs/en/data-sheet/A5G23H110N.pdf 2022-10-03 1664824154653697403903 PSP 1 Oct 18, 2023 Data Sheet A5G23H110N 2300–2400 MHz, 13.8 W Avg, 48 V Airfast<sup>&reg;</sup> RF power GaN amplifier for cellular base stations None /docs/en/data-sheet/A5G23H110N.pdf English documents 417943 None 980000996212993340 2024-01-17 N /docs/en/data-sheet/A5G23H110N.pdf A5G23H110N 2300–2400 MHz, 13.8 W Avg, 48 V Data Sheet /docs/en/data-sheet/A5G23H110N.pdf documents 980000996212993340 Data Sheet N en None Y pdf 2 N N A5G23H110N 2300–2400 MHz, 13.8 W Avg, 48 V Data Sheet 417.9 KB A5G23H110N N 1664824154653697403903 true Y Products

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