デザイン・ファイル
2 設計・ファイル
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シミュレーションとモデル
A3G26D055N Peaking Class C S-Parameters
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シミュレーションとモデル
A3G26D055N Carrier Class AB S-Parameters
お客様の素早い設計とより早い製品化を実現する、技術情報と専門知識をご紹介します。
このA3G26D055N 8 W対称ドハティRFパワーGaNアンプは、100~2690 MHzの周波数範囲を対象とし、非常に広い瞬時帯域幅が要求されるセルラー基地局アプリケーション向けに設計されています。
100~2690 MHz帯域で動作するアプリケーションに対して特性が規定され、性能が保証されています。それ以外の周波数向けのアプリケーションでは性能は保証されません。
部品番号: A3G26D055N, A3G26D055N-100, A3G26D055N-1805, A3G26D055N-2110, A3G26D055N-2400, A3G26D055N-2600.
周波数 | Gps (dB) |
ηD (%) |
出力PAR (dB) |
ACPR (dBc) |
2515 MHz | 18.0 | 52.1 | 8.3 | -27.4 |
2595 MHz | 18.2 | 53.5 | 8.2 | -28.2 |
2675 MHz | 18.0 | 54.1 | 8.1 | -30.1 |
周波数 | Gps (dB) |
ηD (%) |
出力PAR (dB) |
P3dB (dBm) |
ACPR (dBc) |
750 MHz | 20.0 | 41.7 | 7.0 | 44.5 | -34.4 |
780 MHz | 19.7 | 41.1 | 7.0 | 44.5 | -34.3 |
810 MHz | 19.2 | 40.6 | 7.0 | 44.5 | -36.6 |
クイック・リファレンス ドキュメンテーションの種類.
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