A2V09H525-04N|720-960 MHz, 120 W Avg, 48 V

The A2V09H525-04N 120 W asymmetrical Doherty RF power LDMOS transistor is designed for cellular base station applications covering the frequency range of 720 to 960 MHz.

製品画像を見る

データ・シート

製品詳細

Features

Advanced high performance in-package Doherty
Greater negative gate-source voltage range for improved Class C operation
Designed for digital predistortion error correction systems
RoHS compliant

RF Performance Tables

900 MHz

Typical Doherty Single-Carrier W-CDMA Performance: V_DD = 48 Vdc, I_DQA = 688 mA, V_GSB = 1.1 Vdc, P_out = 120 W Avg., Input Signal PAR = 9.9 dB @ 0.01% Probability on CCDF.

Frequency	G_ps (dB)	η_D (%)	Output PAR (dB)	ACPR (dBc)
920 MHz	18.9	57.8	7.5	–28.9
940 MHz	18.9	56.7	7.3	–32.4
960 MHz	18.7	54.8	6.9	–34.8

780 MHz

Typical Doherty Single-Carrier W-CDMA Performance: V_DD = 48 Vdc, I_DQA = 700 mA, V_GSB = 0.9 Vdc, P_out = 120 W Avg., Input Signal PAR = 9.9 dB @ 0.01% Probability on CCDF.

Frequency	G_ps (dB)	η_D (%)	Output PAR (dB)	ACPR (dBc)
758 MHz	18.1	56.2	7.5	–28.2
780 MHz	18.1	54.7	7.5	–29.3
803 MHz	17.7	52.5	7.2	–32.5

購入/パラメータ

‌ ‌ ‌	‌ ‌	‌ ‌	‌ ‌	‌ ‌	‌ ‌
‌ ‌ ‌	‌	‌	‌	‌	‌
‌ ‌ ‌	‌	‌	‌	‌	‌
‌ ‌ ‌	‌	‌	‌	‌	‌
‌ ‌ ‌	‌	‌	‌	‌	‌
‌ ‌ ‌	‌	‌	‌	‌	‌
‌ ‌ ‌	‌	‌	‌	‌	‌
‌ ‌ ‌	‌	‌	‌	‌	‌
‌ ‌ ‌	‌	‌	‌	‌	‌
‌ ‌ ‌	‌	‌	‌	‌	‌
‌ ‌ ‌	‌	‌	‌	‌	‌

ドキュメント

クイック・リファレンスドキュメンテーションの種類.

3 ドキュメント

コンパクトリスト

Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices[EB212]

PDFJan 19, 2004改訂 0

A2V09H525-04N 720-960 MHz, 120 W Avg, 48 V Data Sheet[A2V09H525-04N]

PDFMar 10, 2017改訂 0

98ASA00506D, OM-1230-4L, 32.26x9.96x3.81, Pitch 13.72, 5 Pins[SOT1816-1]

PDFFeb 15, 2016改訂 C

設計・リソース

デザイン・ファイル

クイック・リファレンス設計・ファイルの種類.

5 設計・ファイル

完全な内訳を受け取ります。 製品の設置面積などについては、 eCad ファイル.

シミュレーションとモデル
A2V09H525-04N S-Parameters Peaking Class C

S2P改訂 0Mar 10, 2017 00:00:0034.5 KBA2V09H525-04N-PEAKING-CLASS-C

アカウントが必要です
ダウンロードToggle Dropdown
- キューに追加
- キューから削除
- ファイルサイズが大きい場合にお勧めします。
- キューを表示
シミュレーションとモデル
A2V09H525-04N S-Parameters Peaking Class AB

S2P改訂 0Mar 10, 2017 00:00:0034.4 KBA2V09H525-04N-PEAKING-CLASS-AB

アカウントが必要です
ダウンロードToggle Dropdown
- キューに追加
- キューから削除
- ファイルサイズが大きい場合にお勧めします。
- キューを表示
シミュレーションとモデル
A2V09H525-04N S-Parameters Carrier

S2P改訂 0Mar 10, 2017 00:00:0034.4 KBA2V09H525-04N-CARRIER

アカウントが必要です
ダウンロードToggle Dropdown
- キューに追加
- キューから削除
- ファイルサイズが大きい場合にお勧めします。
- キューを表示
プリント基板と回路図
A2V09H525-04N 900 MHz PCB DXF file

ZIP改訂 1Mar 10, 2017 00:00:0073.3 KBA2V09H525-04N-900-PCB

アカウントが必要です
ダウンロードToggle Dropdown
- キューに追加
- キューから削除
- ファイルサイズが大きい場合にお勧めします。
- キューを表示
プリント基板と回路図
A2V09H400-04N 780 MHz PCB DXF file

ZIP改訂 0Mar 10, 2017 00:00:0079.3 KBA2V09H525-04N-780-PCB

アカウントが必要です
ダウンロードToggle Dropdown
- キューに追加
- キューから削除
- ファイルサイズが大きい場合にお勧めします。
- キューを表示

720-960 MHz, 120 W Avg., 48 V Airfast® RF Power LDMOS Transistor

製品詳細

Features

RF Performance Tables

900 MHz

780 MHz

購入/パラメータ

ドキュメント

絞り込み

エンジニアリング・ブリテン (1)

Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices[EB212]

データ・シート (1)

A2V09H525-04N 720-960 MHz, 120 W Avg, 48 V Data Sheet[A2V09H525-04N]

パッケージ情報 (1)

98ASA00506D, OM-1230-4L, 32.26x9.96x3.81, Pitch 13.72, 5 Pins[SOT1816-1]

設計・リソース

デザイン・ファイル

絞り込み

A2V09H525-04N S-Parameters Peaking Class C

A2V09H525-04N S-Parameters Peaking Class AB

A2V09H525-04N S-Parameters Carrier

A2V09H525-04N 900 MHz PCB DXF file

A2V09H400-04N 780 MHz PCB DXF file

絞り込み

サポート

お困りのことは何ですか？?

おすすめリンク

720-960 MHz, 120 W Avg., 48 V Airfast^® RF Power LDMOS Transistor