A2V07H400-04N|420-851 MHz, 107 W Avg, 48 V

The A2V07H400-04N 107 W asymmetrical Doherty RF power LDMOS transistor is designed for cellular base station applications covering the frequency range of 420 to 851 MHz.

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データ・シート

アプリケーション・ノート

製品詳細

Features

Advanced high performance in-package Doherty
Greater negative gate-source voltage range for improved Class C operation
Designed for digital predistortion error correction systems
RoHS compliant

RF Performance Table

600 MHz

Typical Doherty Single-Carrier W-CDMA Performance: V_DD = 48 Vdc, I_DQA = 700 mA, V_GSB = 1.3 Vdc, P_out = 107 W Avg., Input Signal PAR = 9.9 dB @ 0.01% Probability on CCDF.

Frequency	G_ps (dB)	η_D (%)	Output PAR (dB)	ACPR (dBc)
595 MHz	19.4	58.4	6.8	–29.8
623 MHz	19.9	59.4	7.1	–30.1
652 MHz	19.8	57.2	7.1	–32.2

460 MHz

Typical Doherty Single-Carrier W-CDMA Performance: V_DD = 48 Vdc, I_DQA = 400 mA, V_GSB = 1.5 Vdc, P_out = 112 W Avg., Input Signal PAR = 9.9 dB @ 0.01% Probability on CCDF.

Frequency	G_ps (dB)	η_D (%)	Output PAR (dB)	ACPR (dBc)
460 MHz	17.6	58.7	7.1	–29.7
465 MHz	17.7	58.7	7.1	–30.6
470 MHz	17.9	57.1	7.0	–32.2

420 MHz

Typical Doherty Single-Carrier W-CDMA Performance: V_DD = 48 Vdc, I_DQA = 500 mA, V_GSB = 1.6 Vdc, P_out = 100 W Avg., Input Signal PAR = 9.9 dB @ 0.01% Probability on CCDF.

Frequency	G_ps (dB)	η_D (%)	Output PAR (dB)	ACPR (dBc)
420 MHz	18.8	53.3	7.0	–27.0
423 MHz	18.8	53.5	7.0	–27.6
425 MHz	18.8	53.3	7.0	–27.6

購入/パラメータ

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ドキュメント

クイック・リファレンスドキュメンテーションの種類.

4 ドキュメント

コンパクトリスト

AN1907 Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Over-Molded Plastic Packages[AN1907]

PDFMay 13, 2009改訂 3

Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices[EB212]

PDFJan 19, 2004改訂 0

A2V07H400-04N 420-851 MHz, 107 W Avg, 48 V Data Sheet[A2V07H400-04N]

PDFOct 11, 2021改訂 2

98ASA10833D[SOT1818-4]

PDFMar 22, 2016改訂 B

設計・リソース

デザイン・ファイル

クイック・リファレンス設計・ファイルの種類.

5 設計・ファイル

完全な内訳を受け取ります。 製品の設置面積などについては、 eCad ファイル.

シミュレーションとモデル
A2V07H400-04N S-Parameters Peaking Class C

S2P改訂 0Sep 22, 2017 00:00:00104.1 KBA2V07H400-04N-Peaking-Class-C

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シミュレーションとモデル
A2V07H400-04N S-Parameters Peaking Class AB

S2P改訂 0Sep 22, 2017 00:00:00104.1 KBA2V07H400-04N-Peaking-Class-AB

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シミュレーションとモデル
A2V07H400-04N S-Parameters Carrier

S2P改訂 0Sep 22, 2017 00:00:00104.1 KBA2V07H400-04N-Carrier

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プリント基板と回路図
A2V07H400-04N 600 MHz PCB DXF file

ZIP改訂 0Sep 22, 2017 00:00:00123.0 KBA2V07H400-04N-600-PCB

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電卓
A2V07H400-04N RF Power Electromigration MTTF Calculation Program

XLSX改訂 0Sep 25, 2017 00:00:0087.5 KBA2V07H400-04N_MTTF_CALC

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420-851 MHz, 107 W Avg., 48 V Airfast® RF Power LDMOS Transistor

製品詳細

Features

RF Performance Table

600 MHz

460 MHz

420 MHz

購入/パラメータ

ドキュメント

絞り込み

アプリケーション・ノート (1)

AN1907 Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Over-Molded Plastic Packages[AN1907]

エンジニアリング・ブリテン (1)

Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices[EB212]

データ・シート (1)

A2V07H400-04N 420-851 MHz, 107 W Avg, 48 V Data Sheet[A2V07H400-04N]

パッケージ情報 (1)

98ASA10833D[SOT1818-4]

設計・リソース

デザイン・ファイル

絞り込み

A2V07H400-04N S-Parameters Peaking Class C

A2V07H400-04N S-Parameters Peaking Class AB

A2V07H400-04N S-Parameters Carrier

A2V07H400-04N 600 MHz PCB DXF file

A2V07H400-04N RF Power Electromigration MTTF Calculation Program

絞り込み

サポート

お困りのことは何ですか？?

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420-851 MHz, 107 W Avg., 48 V Airfast^® RF Power LDMOS Transistor