ハードウェア選択とイネーブルを備えたI3Cスイッチ

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ブロック図

P3S0200GMのブロック図

P3S0200GM Block Diagram

特長

一般的な機能

  • 選択ピン搭載のI3Cバス2:1または1:2マルチプレクサ
  • 2.3 V~3.6 Vの広い電源電圧範囲
  • スイッチ電圧は最大5.5 Vの信号に対応
  • 1.8 Vの制御ロジック(VCC = 3.6 V時)
  • OE = HIGH時の低消費電力モード(最大2 μA)
  • オン抵抗:6 Ω(最大)
  • チャネル間のオン抵抗ミスマッチ:0.1 Ω(標準)
  • オン容量:6 pF(標準)
  • 高帯域幅(標準52 MHz)
  • JESD 78BクラスIIレベルAに準拠した100 mAを超えるラッチアップ性能
  • ESD保護:
    • HBM JESD22-A114Fクラス3A:8000 V超
    • CDM JESD22-C101E:1000 V超
    • HBMで12000 Vを超えるI/O-GND間保護
  • ハードウェア選択ピン搭載のI3C/I2C 2:1または1:2マルチプレクサ、最大5.5 Vのバス電圧に対応可能
  • サーバDDR5 RDIMM I3Cバス多重化
  • -40°C~+85°Cで仕様を規定

部品番号: P3S0200GM.

購入/パラメータ










































































































ドキュメント

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