A2G22S251-01S|Airfast RF Power GaN Transistor

製品詳細

Features

High Terminal Impedances for Optimal Broadband Performance
Designed for Digital Predistortion Error Correction Systems
Optimized for Doherty Applications
RoHS Compliant

RF Performance Table

2000 MHz

Typical Single-Carrier W-CDMA Performance: V_DD = 48 Vdc, I_DQ = 200 mA, Pout = 48 W Avg., Input Signal PAR = 9.9 dB @ 0.01% Probability on CCDF.

Frequency	G_ps (dB)	η_D (%)	Output PAR (dB)	ACPR (dBc)	IRL (dB)
1805 MHz	17.4	33.5	7.0	–34.7	–14
1990 MHz	17.3	34.3	7.1	–35.1	–11
2170 MHz	17.7	37.5	6.8	–33.2	–12

購入/パラメータ

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ドキュメント

クイック・リファレンスドキュメンテーションの種類.

2 ドキュメント

コンパクトリスト

A2G22S251-01S 1805-2200 MHz, 48 W Avg, 48 V GaN Data Sheet[A2G22S251-01S]

PDFMay 16, 2016改訂 0

98ASA10732D, NI-400S-2S, 10.0x10.0x3.66, Pitch 7.8, 3 Pins[SOT1828-1]

PDFJan 19, 2016改訂 C

設計・リソース

デザイン・ファイル

クイック・リファレンス設計・ファイルの種類.

1-5の 6 設計・ファイル

完全な内訳を受け取ります。 製品の設置面積などについては、 eCad ファイル.

シミュレーションとモデル
A2G22S251-01S RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

ZIP改訂 2Jun 17, 2019 00:00:00291.5 KBA2G22S251_01S_MDL_ADS

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シミュレーションとモデル
A2G22S251-01S RF High-Power Model AWR Product Model Design Kit

ZIP改訂 0Sep 20, 2016 00:00:00739.5 KBA2G22S251_01S_MDL_AWR

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HTML改訂 1Sep 20, 2016 00:00:00785 BRF_HIGH_POWER_MODEL_ADS_KIT
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HTML改訂 1Sep 20, 2016 00:00:00802 BRF_HIGH_POWER_MODEL_AWR_KIT
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シミュレーションとモデル
A2G22S251-01S S-Parameters

S2P改訂 0May 16, 2016 00:00:00238.4 KBA2G22S251-01S_SP

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プリント基板と回路図
A2G22S251-01S 2000 MHz PCB DXF file

ZIP改訂 2May 16, 2016 00:00:00100.4 KBA2G22S251-01S_2000_PCB

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1805-2200 MHz, 48 W Avg., 48 V Airfast® RF Power GaN Transistor

製品詳細

Features

RF Performance Table

2000 MHz

購入/パラメータ

ドキュメント

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データ・シート (1)

A2G22S251-01S 1805-2200 MHz, 48 W Avg, 48 V GaN Data Sheet[A2G22S251-01S]

パッケージ情報 (1)

98ASA10732D, NI-400S-2S, 10.0x10.0x3.66, Pitch 7.8, 3 Pins[SOT1828-1]

設計・リソース

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A2G22S251-01S RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

A2G22S251-01S RF High-Power Model AWR Product Model Design Kit

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