3400~4000 MHz、32 dB、平均9 W Airfast®パワー・アンプ・モジュール

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製品詳細

特長

  • ドライバとしてのLDMOS集積回路とGaN最終段アンプを組み合わせた2段モジュール・ソリューション
  • 先進の高性能インパッケージ・ドハティ
  • 完全整合(50 Ω入出力、DCブロック)
  • 複雑性の低いデジタル線形化システム向けに設計
  • メモリ効果を低減し、線形化誤差ベクトルの大きさを改善
  • 530 MHzまでの瞬時信号帯域をサポート

RF性能表

3400~4000 MHz

標準LTE性能:Pout = 9 W平均、VDC1 = VDP1 = 5 Vdc、VDC2 = VDP2 = 48 Vdc、1 × 20 MHz LTE、入力信号PAR = 8 dB(CCDFの確率0.01%時)(1)

ドキュメント

クイック・リファレンス ドキュメンテーションの種類.

2 ドキュメント

デザイン・ファイル

クイック・リファレンス 設計・ファイルの種類.

1 設計・ファイル

サポート

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