3400~4000 MHz、32 dB、平均9 W Airfast®パワー・アンプ・モジュール

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製品詳細

特長

  • ドライバとしてのLDMOS集積回路とGaN最終段アンプを組み合わせた2段モジュール・ソリューション
  • 先進の高性能インパッケージ・ドハティ
  • 完全整合(50 Ω入出力、DCブロック)
  • 複雑性の低いデジタル線形化システム向けに設計
  • メモリ効果を低減し、線形化誤差ベクトルの大きさを改善
  • 530 MHzまでの瞬時信号帯域をサポート

RF性能表

3400~4000 MHz

標準LTE性能:Pout = 9 W平均、VDC1 = VDP1 = 5 Vdc、VDC2 = VDP2 = 48 Vdc、1 × 20 MHz LTE、入力信号PAR = 8 dB(CCDFの確率0.01%時)(1)

N true 0 PSPA5M37TG240ja 2 アプリケーション・ノート Application Note t789 1 データ・シート Data Sheet t520 1 ja ja ja データ・シート Data Sheet 1 1 1 English A5M37TG240 3400-4000 MHz, 32 dB, 9 W Avg Airfast<sup>&reg;</sup> power amplifier module designed for wireless infrastructure applications, including TDD LTE and 5G systems. 1711069422498720941209 PSP 734.1 KB None None documents None 1711069422498720941209 /docs/en/data-sheet/A5M37TG240.pdf 734057 /docs/en/data-sheet/A5M37TG240.pdf A5M37TG240 documents N N 2024-03-21 A5M37TG240 3400-4000 MHz, 32 dB, 9 W Avg Data Sheet /docs/en/data-sheet/A5M37TG240.pdf /docs/en/data-sheet/A5M37TG240.pdf Data Sheet N 980000996212993340 2024-04-09 pdf N en Mar 19, 2024 980000996212993340 Data Sheet Y N A5M37TG240 3400-4000 MHz, 32 dB, 9 W Avg Data Sheet アプリケーション・ノート Application Note 1 2 2 English This document explains the methodology used by NXP for thermal characterization of RF high power amplifier products, which include LDMOS and GaN active devices. 1075398872032723970051 PSP 235.5 KB None None documents None 1075398872032723970051 /docs/en/application-note/AN1955.pdf 235468 /docs/en/application-note/AN1955.pdf AN1955 documents N N 2016-11-09 Thermal Characterization Methodology of RF Power Amplifiers - Application Note /docs/en/application-note/AN1955.pdf /docs/en/application-note/AN1955.pdf Application Note N 645036621402383989 2025-01-28 pdf N en Jul 11, 2024 645036621402383989 Application Note Y N Thermal Characterization Methodology of RF Power Amplifiers - Application Note false 0 A5M37TG240 downloads ja true 1 Y PSP アプリケーション・ノート 1 /docs/en/application-note/AN1955.pdf 2016-11-09 1075398872032723970051 PSP 2 Jul 11, 2024 Application Note This document explains the methodology used by NXP for thermal characterization of RF high power amplifier products, which include LDMOS and GaN active devices. None /docs/en/application-note/AN1955.pdf English documents 235468 None 645036621402383989 2025-01-28 N /docs/en/application-note/AN1955.pdf Thermal Characterization Methodology of RF Power Amplifiers - Application Note /docs/en/application-note/AN1955.pdf documents 645036621402383989 Application Note N en None Y pdf 2 N N Thermal Characterization Methodology of RF Power Amplifiers - Application Note 235.5 KB AN1955 N 1075398872032723970051 データ・シート 1 /docs/en/data-sheet/A5M37TG240.pdf 2024-03-21 1711069422498720941209 PSP 1 Mar 19, 2024 Data Sheet A5M37TG240 3400-4000 MHz, 32 dB, 9 W Avg Airfast<sup>&reg;</sup> power amplifier module designed for wireless infrastructure applications, including TDD LTE and 5G systems. None /docs/en/data-sheet/A5M37TG240.pdf English documents 734057 None 980000996212993340 2024-04-09 N /docs/en/data-sheet/A5M37TG240.pdf A5M37TG240 3400-4000 MHz, 32 dB, 9 W Avg Data Sheet /docs/en/data-sheet/A5M37TG240.pdf documents 980000996212993340 Data Sheet N en None Y pdf 1 N N A5M37TG240 3400-4000 MHz, 32 dB, 9 W Avg Data Sheet 734.1 KB A5M37TG240 N 1711069422498720941209 true Y Products

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