3300~3800 MHz、32 dB、9 W平均Airfast®パワー・アンプ・モジュール

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製品詳細

特長

  • ドライバとしてのLDMOS集積回路とGaNファイナル・ステージ・アンプを含む2ステージ・モジュール・ソリューション
  • 先進の高性能インパッケージ・ドハティ
  • 完全整合(50Ω入力/出力、DCブロック)
  • 複雑さを抑えたデジタル線形化システム向けに設計
  • メモリ効果の低減によって線形化誤差ベクトルの大きさを改善
  • RoHS準拠

RF性能表

3300~3800 MHz

標準LTE性能:Pout = 9 W平均、VDC1 = VDP1 = 5 Vdc、VDC2 = VDP2 = 48 Vdc、1 × 20 MHz LTE、入力信号PAR = 8 dB(CCDFの確率0.01%時)(1)1. NXPのリファレンス回路にはんだ付けしたデバイスですべてのデータを測定。

購入/パラメータ










































































































N true 0 PSPA5M36TG140ja 2 アプリケーション・ノート Application Note t789 1 データ・シート Data Sheet t520 1 ja ja ja データ・シート Data Sheet 1 1 2 Y English https://docs.nxp.com/bundle/A5G35S004N/page/topics/general_description.html A5M36TG140 3300-3800 MHz, 32 dB, 9 W Avg Airfast<sup>&reg;</sup> power amplifier module designed for wireless infrastructure applications, including TDD LTE and 5G systems. 1673974628831732986986 PSP 765.8 KB None None documents None 1673974628831732986986 /docs/en/data-sheet/A5M36TG140.pdf 765797 /docs/en/data-sheet/A5M36TG140.pdf A5M36TG140 documents N N Y 2023-01-17 A5M36TG140 3300-3800 MHz, 32 dB, 9 W Avg Data Sheet https://docs.nxp.com/bundle/A5G35S004N/page/topics/general_description.html /docs/en/data-sheet/A5M36TG140.pdf Data Sheet N 980000996212993340 /bundle/A5G35S004N/page/topics/general_description.html /docs/en/data-sheet/A5M36TG140.pdf 2025-01-07 765.8 KB pdf N en Nov 27, 2024 980000996212993340 Data Sheet Y N A5M36TG140 3300-3800 MHz, 32 dB, 9 W Avg Data Sheet アプリケーション・ノート Application Note 1 2 2 English This document explains the methodology used by NXP for thermal characterization of RF high power amplifier products, which include LDMOS and GaN active devices. 1075398872032723970051 PSP 235.5 KB None None documents None 1075398872032723970051 /docs/en/application-note/AN1955.pdf 235468 /docs/en/application-note/AN1955.pdf AN1955 documents N N 2016-11-09 Thermal Characterization Methodology of RF Power Amplifiers - Application Note /docs/en/application-note/AN1955.pdf /docs/en/application-note/AN1955.pdf Application Note N 645036621402383989 2025-01-28 pdf N en Jul 11, 2024 645036621402383989 Application Note Y N Thermal Characterization Methodology of RF Power Amplifiers - Application Note false 0 A5M36TG140 downloads ja true 1 Y PSP Y Y アプリケーション・ノート 1 /docs/en/application-note/AN1955.pdf 2016-11-09 1075398872032723970051 PSP 2 Jul 11, 2024 Application Note This document explains the methodology used by NXP for thermal characterization of RF high power amplifier products, which include LDMOS and GaN active devices. None /docs/en/application-note/AN1955.pdf English documents 235468 None 645036621402383989 2025-01-28 N /docs/en/application-note/AN1955.pdf Thermal Characterization Methodology of RF Power Amplifiers - Application Note /docs/en/application-note/AN1955.pdf documents 645036621402383989 Application Note N en None Y pdf 2 N N Thermal Characterization Methodology of RF Power Amplifiers - Application Note 235.5 KB AN1955 N 1075398872032723970051 データ・シート 1 https://docs.nxp.com/bundle/A5G35S004N/page/topics/general_description.html /docs/en/data-sheet/A5M36TG140.pdf 2023-01-17 /bundle/A5G35S004N/page/topics/general_description.html 1673974628831732986986 PSP 1 Nov 27, 2024 Data Sheet A5M36TG140 3300-3800 MHz, 32 dB, 9 W Avg Airfast<sup>&reg;</sup> power amplifier module designed for wireless infrastructure applications, including TDD LTE and 5G systems. None /docs/en/data-sheet/A5M36TG140.pdf Y English documents 765797 Y None 980000996212993340 2025-01-07 N https://docs.nxp.com/bundle/A5G35S004N/page/topics/general_description.html A5M36TG140 3300-3800 MHz, 32 dB, 9 W Avg Data Sheet /docs/en/data-sheet/A5M36TG140.pdf documents 980000996212993340 Data Sheet N en None Y /docs/en/data-sheet/A5M36TG140.pdf 765.8 KB pdf 2 N N A5M36TG140 3300-3800 MHz, 32 dB, 9 W Avg Data Sheet 765.8 KB A5M36TG140 N 1673974628831732986986 true Y Products

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