A5M35TG140-TC：3400～3600 MHz、30 dB、10.5 W（平均値）Airfast®パワー・アンプ・モジュール
A5M35TG140-TC アラートの受信
A5M35TG140−TCは、最小のフットプリントで高性能が要求されるワイヤレス・インフラストラクチャ・アプリケーション向けの完全統合型ドハティ・パワー・アンプ・モジュールです。マッシブMIMOシステム、屋外スモール・セル、低消費電力リモート無線ヘッド (RRH) 用のアプリケーションに最適です。フィールド実証済みのLDMOSおよびGaN on SiCパワー・アンプであり、TDD LTEおよび5Gシステム向けに設計されています。
製品詳細
特長
- ドライバとしてのLDMOS集積回路とGaN最終段アンプを組み合わせた2段モジュール・ソリューション
- 先進の高性能インパッケージ・ドハティ
- 熱経路と電気接続部/はんだ接合部の分離により放熱性が向上
- 完全整合（50 Ω入出力、DCブロック）
- 複雑性の低いデジタル線形化システム向けに設計
- メモリ効果を低減し、線形化誤差ベクトルの大きさを改善
- RoHS準拠
RF性能表
3400～3600 MHz
代表的LTE性能：Pout = 平均10.5 W、VDC1 = VDP1 = 5 Vdc、VDC2 = VDP2 = 48 Vdc、1 × 20 MHz LTE、入力信号PAR = 8 dB（CCDFの確率0.01%時）。(1)| 搬送波中心 周波数 |
利得 (dB) |
ACPR (dBc) |
PAE (%) |
| 3410 MHz | 30.5 | –27.6 | 46.7 |
| 3500 MHz | 30.5 | –30.2 | 47.5 |
| 3590 MHz | 30.4 | –32.8 | 47.9 |
