デザイン・ファイル
3 設計・ファイル
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シミュレーションとモデル
A5G35H120N Peaking Class C S-Parameters
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シミュレーションとモデル
A5G35H120N Peaking Class AB S-Parameters
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シミュレーションとモデル
A5G35H120N Carrier S-Parameters
3300～3800 MHz、18 W平均、48 V Airfast® RFパワーGaNアンプ
A5G35H120N アラートの受信
この18 W非対称ドハティRFパワーGaNアンプは、3300～3800 MHzの周波数範囲を対象とし、非常に広い瞬時帯域幅が要求されるセルラー基地局アプリケーション向けに設計されています。
3300～3800 MHz帯域で動作するアプリケーションに対して特性が規定され、性能が保証されています。それ以外の周波数向けのアプリケーションでは性能は保証されません。
製品詳細
特長
- 高い端子インピーダンスによる最適な広帯域性能
- 次世代信号により、線形化誤差ベクトルの大きさを改善
- 非常に高い出力VSWRおよび広帯域の動作条件に対応
- 複雑性の低いデジタル線形化システム向けに設計
- 5G基地局用のマッシブMIMOアクティブ・アンテナ・システム向けに最適化
- RoHS準拠
部品番号： A5G35H120N.
RF性能表
3500 MHz
ドハティ・シングルキャリアW-CDMAリファレンス回路での標準性能：VDD = 48 Vdc、IDQA = 70 mA、VGSB = -4.0 Vdc、Pout= 18 W（平均）、入力信号PAR = 9.9 dB（CCDFで0.01%の確率）(1)| 周波数 | Gps (dB) |
ηD (%) |
出力PAR (dB) |
ACPR (dBc) |
| 3400 MHz | 16.0 | 56.6 | 8.0 | -29.8 |
| 3500 MHz | 15.8 | 56.7 | 8.1 | -31.3 |
| 3600 MHz | 15.7 | 56.2 | 8.1 | -33.1 |
3300～3700 MHzワイドバンド性能
ドハティ・シングルキャリアW-CDMAリファレンス回路での標準性能：VDD = 48 Vdc、IDQA = 70 mA、VGSB = -4.0 Vdc、Pout= 18 W（平均）、入力信号PAR = 9.9 dB（CCDFで0.01%の確率）(1)| 周波数 | Gps (dB) |
ηD (%) |
出力PAR (dB) |
ACPR (dBc) |
| 3300 MHz | 15.7 | 54.9 | 8.1 | -29.8 |
| 3400 MHz | 15.8 | 56.4 | 8.0 | -29.8 |
| 3500 MHz | 15.6 | 56.5 | 8.2 | -31.2 |
| 3600 MHz | 15.5 | 56.1 | 8.1 | -33.1 |
| 3700 MHz | 15.1 | 50.5 | 7.6 | -32.4 |
ドキュメント
クイック・リファレンス ドキュメンテーションの種類.