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MOS Model 31は、アナログ高電圧アプリケーションの回路シミュレーションとIC設計に使用することを目的とした物理ベース・トランジスタ・モデルです。このモデルは、接合分離型蓄積/空乏型MOSFETの電気的挙動を記述します。このモデルは、LDMOS (Lateral Double-diffused MOS)、VDMOS (Vertical Double-diffused MOS)、拡張MOSトランジスタなどの高電圧MOSデバイスのドレイン拡張として使用します。
このモデルはSiMKitと呼ばれる動的にロードされるライブラリに含まれています。SiMKitは、NXP®社内で使用される以下の回路シミュレータに関連しています。