2496-2690 MHz, 80 W Avg., 48 V Airfast® RF Power GaN Transistor

A3G26H502W17S

This A3G26H502W17S 80 W asymmetrical Doherty RF power GaN transistor is designed for cellular base station applications requiring very wide instantaneous bandwidth capability covering the frequency range of 2496 to 2690 MHz.

This part is characterized and performance is guaranteed for applications operating in the 2496 to 2690 MHz band. There is no guarantee of performance when this part is used in applications designed outside these frequencies.

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製品詳細

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Features

  • High terminal impedances for optimal broadband performance
  • Advanced high performance in-package Doherty
  • Improved linearized error vector magnitude with next generation signal
  • Able to withstand extremely high output VSWR and broadband operating conditions
  • RoHs compliant

RF Performance Table

2600 MHz

Typical Doherty Single-Carrier W-CDMA Characterization Performance: VDD = 48 Vdc, IDQA = 370 mA, VGSB = -4.6 Vdc, Pout = 80 W Avg., Input Signal PAR = 9.9 dB @ 0.01% Probability on CCDF. (1)
Frequency Gps
(dB)		 ηD
(%)		 Output PAR
(dB)		 ACPR
(dBc)
2496 MHz14.448.47.8-32.6
2590 MHz15.049.38.2-35.2
2690 MHz14.851.27.8-34.0
1. All data measured in fixture with device soldered to heatsink.

ドキュメンテーション

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フィルタ

3 ドキュメント

設計・リソース

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設計・ファイル

フィルタ

4 設計・ファイル

  • シミュレーションとモデル

    A3G26H502W17S Carrier Class AB S-Parameters

    S2P改訂 0Nov 17, 2020 13:01:0043.2 KBA3G26H502W17S-CARRIER-CLASS-AB
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  • シミュレーションとモデル

    A3G26H502W17S-Peaking-Class-AB

    S2P改訂 0Nov 17, 2020 13:05:0043.2 KBA3G26H502W17S-PEAKING-CLASS-AB
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  • シミュレーションとモデル

    A3G26H502W17S-Peaking-Class-C

    S2P改訂 0Nov 17, 2020 13:07:0043.2 KBA3G26H502W17S-PEAKING-CLASS-C
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  • プリント基板と回路図

    A3G26H502W17S 2600 MHz PCB DXF file

    ZIP改訂 3Nov 17, 2020 14:47:0047.1 KBA3G26H502W17S-2600-PCB
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