1805~2200 MHz、49 dB、16 W平均Airfast®パワー・アンプ・モジュール

画像にカーソルを合わせると拡大表示されます。

製品詳細

特長

  • ドライバとしての2段LDMOS集積回路とGaN最終段アンプを組み合わせた3段モジュール・ソリューション
  • 先進の高性能インパッケージ・ドハティ
  • 完全整合(50 Ω入出力、DCブロック)
  • メモリ効果を低減し、線形化誤差ベクトルの大きさを改善
  • デュアルバンド同時運用 (B3~B1/B66)

RF性能表

1805~2200 MHz

標準LTE性能:Pout = 16 W平均、VD1 + VD2 = 28 Vdc、VD3A = VD3B = 45 Vdc、1 × 20 MHz LTE、入力PAR = 8 dB(CCDFの確率0.01%時)(1)

搬送波中心
周波数
利得
(dB)
ACPR
(dBc)
PAE
(%)
1815 MHz 47.7 -27.1 43.5
2000 MHz 49.1 -31.8 43.5
2190 MHz 48.3 -33.4 42.7

1. NXPのリファレンス回路にはんだ付けしたデバイスですべてのデータを測定。

購入/パラメータ










































































































N true 0 PSPA5M20TG042ja 2 アプリケーション・ノート Application Note t789 1 データ・シート Data Sheet t520 1 ja ja ja データ・シート Data Sheet 1 1 1 English A5M20TG042 1805-2200 MHz, 49 dB, 16 W Avg Airfast<sup>&reg;</sup> power amplifier module designed for wireless infrastructure applications, including TDD and FDD 32T mMIMO systems. 1716510347555712385291 PSP 662.2 KB None None documents None 1716510347555712385291 /docs/en/data-sheet/A5M20TG042.pdf 662188 /docs/en/data-sheet/A5M20TG042.pdf A5M20TG042 documents N N 2024-05-23 A5M20TG042 1805-2200 MHz, 49 dB,16 W Avg Data Sheet /docs/en/data-sheet/A5M20TG042.pdf /docs/en/data-sheet/A5M20TG042.pdf Data Sheet N 980000996212993340 2024-06-01 pdf N en May 20, 2024 980000996212993340 Data Sheet Y N A5M20TG042 1805-2200 MHz, 49 dB,16 W Avg Data Sheet アプリケーション・ノート Application Note 1 2 2 English This document explains the methodology used by NXP for thermal characterization of RF high power amplifier products, which include LDMOS and GaN active devices. 1075398872032723970051 PSP 235.5 KB None None documents None 1075398872032723970051 /docs/en/application-note/AN1955.pdf 235468 /docs/en/application-note/AN1955.pdf AN1955 documents N N 2016-11-09 Thermal Characterization Methodology of RF Power Amplifiers - Application Note /docs/en/application-note/AN1955.pdf /docs/en/application-note/AN1955.pdf Application Note N 645036621402383989 2025-01-28 pdf N en Jul 11, 2024 645036621402383989 Application Note Y N Thermal Characterization Methodology of RF Power Amplifiers - Application Note false 0 A5M20TG042 downloads ja true 1 Y PSP アプリケーション・ノート 1 /docs/en/application-note/AN1955.pdf 2016-11-09 1075398872032723970051 PSP 2 Jul 11, 2024 Application Note This document explains the methodology used by NXP for thermal characterization of RF high power amplifier products, which include LDMOS and GaN active devices. None /docs/en/application-note/AN1955.pdf English documents 235468 None 645036621402383989 2025-01-28 N /docs/en/application-note/AN1955.pdf Thermal Characterization Methodology of RF Power Amplifiers - Application Note /docs/en/application-note/AN1955.pdf documents 645036621402383989 Application Note N en None Y pdf 2 N N Thermal Characterization Methodology of RF Power Amplifiers - Application Note 235.5 KB AN1955 N 1075398872032723970051 データ・シート 1 /docs/en/data-sheet/A5M20TG042.pdf 2024-05-23 1716510347555712385291 PSP 1 May 20, 2024 Data Sheet A5M20TG042 1805-2200 MHz, 49 dB, 16 W Avg Airfast<sup>&reg;</sup> power amplifier module designed for wireless infrastructure applications, including TDD and FDD 32T mMIMO systems. None /docs/en/data-sheet/A5M20TG042.pdf English documents 662188 None 980000996212993340 2024-06-01 N /docs/en/data-sheet/A5M20TG042.pdf A5M20TG042 1805-2200 MHz, 49 dB,16 W Avg Data Sheet /docs/en/data-sheet/A5M20TG042.pdf documents 980000996212993340 Data Sheet N en None Y pdf 1 N N A5M20TG042 1805-2200 MHz, 49 dB,16 W Avg Data Sheet 662.2 KB A5M20TG042 N 1716510347555712385291 true Y Products

ドキュメント

クイック・リファレンス ドキュメンテーションの種類.

2 ドキュメント

コンパクトリスト

デザイン・ファイル

クイック・リファレンス 設計・ファイルの種類.

1 設計・ファイル

サポート

お困りのことは何ですか??