設計・ファイル
1 設計・ファイル
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シミュレーションとモデル
S-parameters BFU660F
NPN Wideband Silicon RF Transistor
BFU660F アラートの受信
NPN silicon microwave transistor for high speed, low noise applications in a plastic, 4-pin dual-emitter SOT343F package.
sot343f_3d
製品詳細
Features
- 40 GHz fT silicon technology
- High output third-order intercept point 27 dBm at 1.8 GHz
- Low noise high linearity RF transistor
Target Applications
- Analog/digital cordless applications
- LTE, cellular, UMTS
- SDARS second stage LNA
- X-band high output buffer amplifier
- ZigBee
ドキュメンテーション
クイック・リファレンス ドキュメンテーションの種類.